美国威世上市厚0.9mm、采用陶瓷封装的LED
美国威世半导体（VishayIntertechnology）上市了外形尺寸为3.3mm×3.4mm×0.9mm的SMD（表面封装）型高亮度LED“VLMx62”系列，共3种型号。主要面向汽车、輸送设备及家电等照明用途，特别是适用于温度管理这一重要用途。封装采用6引脚的CLCC。
发光颜色VLMK62为琥珀色，VLMY62为黄色，VLMW62为白色。亮度的半值角均为60度。产品寿命为5万小时。
VLMK62和VLMY62封装有使用AlInGaP的LED芯片，光度范围为2800～5600mcd。光通量为8800～17600mlm。发光效率为35lm/W。功耗为450mW，顺向电压最大为3.0V。ESD耐压最大为2kV。芯片接合部和封装引脚间的热阻抗为60K/W，接合部到封装周围的热阻抗为110K/W。
VLMW62封装有使用InGaN的LED芯片，光度范围为2800～9000mcd。光通量为8800～28300mlm。发光效率为30lm/W。功耗为650mW，顺向电压最大为4.3V。ESD耐压最大为1kV。芯片接合部和封装引脚间的热阻抗为40K/W，接合部到封装周围的热阻抗为90K/W。
目前，已经开始量产供货。大量订货时的交付期为6周。
发光颜色VLMK62为琥珀色，VLMY62为黄色，VLMW62为白色。亮度的半值角均为60度。产品寿命为5万小时。
VLMK62和VLMY62封装有使用AlInGaP的LED芯片，光度范围为2800～5600mcd。光通量为8800～17600mlm。发光效率为35lm/W。功耗为450mW，顺向电压最大为3.0V。ESD耐压最大为2kV。芯片接合部和封装引脚间的热阻抗为60K/W，接合部到封装周围的热阻抗为110K/W。
VLMW62封装有使用InGaN的LED芯片，光度范围为2800～9000mcd。光通量为8800～28300mlm。发光效率为30lm/W。功耗为650mW，顺向电压最大为4.3V。ESD耐压最大为1kV。芯片接合部和封装引脚间的热阻抗为40K/W，接合部到封装周围的热阻抗为90K/W。
目前，已经开始量产供货。大量订货时的交付期为6周。