乐思成功研发第三代沉银技术AlphaSTAR
一个“理想工艺”除了是性能优异之外,还必须满足2006年7月1日公布的电子工业对于安全、环保以及可靠性的要求。虽然早在1994年乐思化学就拥有AlphaLEVEL产品系列的专利权,但是乐思化学依旧持续不断的进行着工艺的改善和研发,现已成功研发出应用于印制线路板的第三代沉银技术—AlphaSTAR。AlphaSTAR工艺特别为满足当今日益严格的最终表面处理的要求而设计,它解决了以上探讨的几个导致线路板报废、成本增加、环保和安全等问题，并且符合现在和未来可能影响印制线路板(PCB)工业的相关法规。本工艺共有7个步骤(其中三个为水洗步骤),其性能及优点如下所述:
前处理 分为以下四个步骤:除油、水洗、微蚀及水洗。除油溶液的表面张力非常低，能够润湿所有的铜表面，这样既消除了露铜问题，又促进了银层在高纵横比孔和微通孔内的沉积。独特的微蚀配方可产生微粗化，半光亮的表面结构，这样的表面结构有利于形成具有精细而且致密的晶体结构的银层,因此即使在银层厚度很低时也可获得高密度、低孔隙的沉银层。这就大大提高了银层的抗蚀性能。
沉银 分为以下三个步骤:预浸、沉银和最后的去离子水洗。设立预浸的目的有三个，一是用作牺牲溶液,防止从微蚀槽带进铜和其他物质污染沉银液，二是为沉银置换反应提供清洁的铜面,使铜面获得与沉银液中相同的化学环境和pH值。由于预浸的成分和沉银液一样(除了金属银外)，此工序的第三个功能就是对沉银槽的自动补充。在沉银反应中唯一消耗的是金属银,沉银液中有机组分含量的变化仅仅是由槽液带出所造成的损失，而预浸和沉银溶液有同样的成分,预浸带进的量等于沉银带出的量,因此沉银液不会积聚不必要的有机物。
沉银反应是通过铜和银离子之间的置换反应进行的。经过AlphaSTAR 微蚀溶液微粗化处理的铜表面，可以确保在受控的沉银速度下能够缓慢生成均匀一致的沉银层。慢的沉银速度有利于沉积出致密的晶体结构，避免了由于沉淀和结块而产生的微粒增长,形成高密度的银层。这种结构紧密，厚度适中(6 - 12u”)的银层不仅具有高的抗蚀性能,同时也具有非常良好的导电性能。沉银液非常稳定，有很长的使用周期,对光和微量卤化物不敏感。AlphaSTAR的其他优点如:大大缩短了停工期，低离子污染以及设备成本低。
前处理 分为以下四个步骤:除油、水洗、微蚀及水洗。除油溶液的表面张力非常低，能够润湿所有的铜表面，这样既消除了露铜问题，又促进了银层在高纵横比孔和微通孔内的沉积。独特的微蚀配方可产生微粗化，半光亮的表面结构，这样的表面结构有利于形成具有精细而且致密的晶体结构的银层,因此即使在银层厚度很低时也可获得高密度、低孔隙的沉银层。这就大大提高了银层的抗蚀性能。
沉银 分为以下三个步骤:预浸、沉银和最后的去离子水洗。设立预浸的目的有三个，一是用作牺牲溶液,防止从微蚀槽带进铜和其他物质污染沉银液，二是为沉银置换反应提供清洁的铜面,使铜面获得与沉银液中相同的化学环境和pH值。由于预浸的成分和沉银液一样(除了金属银外)，此工序的第三个功能就是对沉银槽的自动补充。在沉银反应中唯一消耗的是金属银,沉银液中有机组分含量的变化仅仅是由槽液带出所造成的损失，而预浸和沉银溶液有同样的成分,预浸带进的量等于沉银带出的量,因此沉银液不会积聚不必要的有机物。
沉银反应是通过铜和银离子之间的置换反应进行的。经过AlphaSTAR 微蚀溶液微粗化处理的铜表面，可以确保在受控的沉银速度下能够缓慢生成均匀一致的沉银层。慢的沉银速度有利于沉积出致密的晶体结构，避免了由于沉淀和结块而产生的微粒增长,形成高密度的银层。这种结构紧密，厚度适中(6 - 12u”)的银层不仅具有高的抗蚀性能,同时也具有非常良好的导电性能。沉银液非常稳定，有很长的使用周期,对光和微量卤化物不敏感。AlphaSTAR的其他优点如:大大缩短了停工期，低离子污染以及设备成本低。