DRAM市场可望落底回升 南科等积极扩产
即便DRAM价格急遽滑落，目前已逼近DRAM厂制造成本，不过台湾各家DRAM业者持续积极扩产，第二季各DRAM厂位产出将同时有2位数成长；今年除南科位出货将增加5成左右外，其余力晶、茂德及华亚科等年增率都将逾8成水平。
除了制程技术及生产良率外，产能规模也是影响DRAM厂竞争力强弱的一大关键，尤其DRAM业界普遍看好DRAM市场可望于4、5月落底，下半年将顺利回升，因此台湾DRAM厂纷纷大举扩产；华亚科于今年初即有1座12寸新厂抢先完工投入量产。
随着子公司华亚科产能增加，南科可望同步受惠，另外南科自建的第一座12寸厂也将于今年下半年完工投产。
其余力晶除加速与尔必达合资的瑞晶电子建厂进度，预计今年7月便可望顺利完工量产，另外，力晶同时持续扩充购自旺宏的12M厂产能，预计第二季月产能将自第一季底的2.8万片，进一步扩增至4万片规模。
茂德也计划将中科晶圆三厂月产能扩增至年底的6.5万片，另外，中科晶圆四厂也将于9月完工量产，至今年底月产能将达1.5万片规模。
随着产能不断扩增，台湾各DRAM厂第二季DRAM 位产出可望同步有2位数成长；其中以华亚科成长幅度最大，可望增加20%以上。
而南科因可望分得华亚科一半产能，因此第二季位出货可望增加逾1成；力晶则在第一季DRAM位产出增加18%后，第二季位产出可望再增加13%。
至于全年位产出状况，华亚科由于公司二厂制造产能进度超乎预期，决定将今年位出货成长率由原先的7成，上修至8成以上水平。而南科则预期，今年位出货将较去年成长50%至55%。
力晶除了12M厂扩产外，公司与尔必达合资的瑞晶也可望于第四季量产挹注产能，另外，公司制程技术推进至70奈米效益也将逐步显现，今年位产出可望增加82%。
茂德则在中科晶圆三厂扩产，及晶圆四厂投入量产挹注产能，再加上公司制程技术推进效益显现，今年DRAM 位总产出可望达7.2亿至7.3亿颗，将较去年再成长85%至86%。
蔡力行则认为，DRAM厂主要产能转入十二寸厂后，的确是开始转向晶圆代工方向，但是DRAM厂要转做逻辑代工不是件简单的事，除了技术及专利硅智财（IP）问题外，还得增加许多金属层（metal layer）设备的投资。过去DRAM厂将八寸厂转做逻辑代工的事不是没发生过，如世界先进就是一例，但是普遍来说这种情况发生的频率并不高，所以台积电对此事并不担心。
除了制程技术及生产良率外，产能规模也是影响DRAM厂竞争力强弱的一大关键，尤其DRAM业界普遍看好DRAM市场可望于4、5月落底，下半年将顺利回升，因此台湾DRAM厂纷纷大举扩产；华亚科于今年初即有1座12寸新厂抢先完工投入量产。
随着子公司华亚科产能增加，南科可望同步受惠，另外南科自建的第一座12寸厂也将于今年下半年完工投产。
其余力晶除加速与尔必达合资的瑞晶电子建厂进度，预计今年7月便可望顺利完工量产，另外，力晶同时持续扩充购自旺宏的12M厂产能，预计第二季月产能将自第一季底的2.8万片，进一步扩增至4万片规模。
茂德也计划将中科晶圆三厂月产能扩增至年底的6.5万片，另外，中科晶圆四厂也将于9月完工量产，至今年底月产能将达1.5万片规模。
随着产能不断扩增，台湾各DRAM厂第二季DRAM 位产出可望同步有2位数成长；其中以华亚科成长幅度最大，可望增加20%以上。
而南科因可望分得华亚科一半产能，因此第二季位出货可望增加逾1成；力晶则在第一季DRAM位产出增加18%后，第二季位产出可望再增加13%。
至于全年位产出状况，华亚科由于公司二厂制造产能进度超乎预期，决定将今年位出货成长率由原先的7成，上修至8成以上水平。而南科则预期，今年位出货将较去年成长50%至55%。
力晶除了12M厂扩产外，公司与尔必达合资的瑞晶也可望于第四季量产挹注产能，另外，公司制程技术推进至70奈米效益也将逐步显现，今年位产出可望增加82%。
茂德则在中科晶圆三厂扩产，及晶圆四厂投入量产挹注产能，再加上公司制程技术推进效益显现，今年DRAM 位总产出可望达7.2亿至7.3亿颗，将较去年再成长85%至86%。
蔡力行则认为，DRAM厂主要产能转入十二寸厂后，的确是开始转向晶圆代工方向，但是DRAM厂要转做逻辑代工不是件简单的事，除了技术及专利硅智财（IP）问题外，还得增加许多金属层（metal layer）设备的投资。过去DRAM厂将八寸厂转做逻辑代工的事不是没发生过，如世界先进就是一例，但是普遍来说这种情况发生的频率并不高，所以台积电对此事并不担心。