日开发可预测半导体特性变化的电子模型

    　　据日本《日刊工业新闻》报道，一家由东芝、NEC电子等11家日本半导体生产商共同出资建立的高技术企业半导体尖端技术公司，近日成功开发出一种电子模型，该模型可被应用于预测互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的特性变动。
    
    　　在下一代半导体的研制与开发过程中，通常都会应用到一种叫浅沟道隔离（STI）的技术，这种技术被用于分隔大规模集成电路中CMOS晶体管的相邻元件。而应用新开发的这种模型，可以在进行STI工序时预测所产生的应力引起的晶体管的特性变化，从而使对相邻元件间距离的计算更加精确，不必像过去进行半导体设计时那样考虑过多的冗余。
    
    　　据该公司称，这项发明可以将大规模集成电路的性能最大提高20%%，并将被日本生产商应用于下一代大规模集成电路的开发。