研诺宣布推出用于12V工业应用的3A降压转换器
专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司（AnalogicTech， 纳斯达克股票市场代码：AATI) ，今日宣布推出一款同步降压直流/直流转换器 AAT1160，这款转换器可从12V的输入提供高达3A的输出。AAT1160将高功率效率水平与150µA超低静电电流结合，为多种行业应用、尤其是那些采用背板以及使用两节锂离子电池供电的便携系统提供了节能手段。
“在越来越多的过去未被考虑在内的行业应用中，以功率效率最大化和功耗最小化来满足新兴的绿色能源标准变得日渐重要，”研诺产品线经理Bill Weiss说道。“通过本公司专利的ModularBCD™ 工艺技术，把静态电流消耗最小化并采用一种同步设计，AAT1160可为紧凑封装内的机架安装的、基于背板的系统如电信交换机、蜂窝基站以及服务器群实现高效节能。”
高效、低静态电流
AAT1160电流模式、降压直流/直流转换器运行的输入电压范围从4V到13.2V 。支持高达3A的负载电流，固定或可调输出电压最低可调至0.6V。
该器件支持效率高达96%。AAT1160所消耗的超低150µA无负载静态电流属业内领先，极大地扩大了研诺在便携应用领域的专业技术范围。AAT1160可对所有负载范围保持高效。使用者可以选择在强制脉宽调制（PWM）模式运行该器件，同步切换到一个外部信号来控制开关噪音。由于允许使用较小的外部组件，高达800 kHz的开关频率可将总体解决方案尺寸最小化。
当器件运行时，1个软启动功能可限制输入电流浪涌和消除电压输出过冲。AAT1160还具有短路和过温保护功能。
ModularBCD 工艺
AAT1160的卓越性能和低功耗源于研诺的Modular BCD工艺技术。与成熟的传统线性IC制造晶圆厂或通用数字互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺的不同之处在于：ModularBCD通过在单片芯片中，将多电压并带有互补双极场效应的、完全隔离的CMOS和强劲的功率器件集成一体，提供更具成本效益的、模块化制造的模拟、功率和混合信号IC。该工艺无需采用诸如外延附生或高温扩散等复杂昂贵的工艺技术。因此采用ModularBCD生产的器件不仅可提供更高效率、更小尺寸和更高集成度，还可以帮助广泛的移动消费电子设计人员更好地管理电源，延长电池寿命，这些产品包括手机、便携式多媒体播放器、台式和手提电脑、数码相机等。
价格与供货
AAT1160的额定工作温度范围是-40至+85℃，采用无铅、16管脚3 mm X 4 mm TDFN封装，订货量为1000片时每片单价为1.82美元。
“在越来越多的过去未被考虑在内的行业应用中，以功率效率最大化和功耗最小化来满足新兴的绿色能源标准变得日渐重要，”研诺产品线经理Bill Weiss说道。“通过本公司专利的ModularBCD™ 工艺技术，把静态电流消耗最小化并采用一种同步设计，AAT1160可为紧凑封装内的机架安装的、基于背板的系统如电信交换机、蜂窝基站以及服务器群实现高效节能。”
高效、低静态电流
AAT1160电流模式、降压直流/直流转换器运行的输入电压范围从4V到13.2V 。支持高达3A的负载电流，固定或可调输出电压最低可调至0.6V。
该器件支持效率高达96%。AAT1160所消耗的超低150µA无负载静态电流属业内领先，极大地扩大了研诺在便携应用领域的专业技术范围。AAT1160可对所有负载范围保持高效。使用者可以选择在强制脉宽调制（PWM）模式运行该器件，同步切换到一个外部信号来控制开关噪音。由于允许使用较小的外部组件，高达800 kHz的开关频率可将总体解决方案尺寸最小化。
当器件运行时，1个软启动功能可限制输入电流浪涌和消除电压输出过冲。AAT1160还具有短路和过温保护功能。
ModularBCD 工艺
AAT1160的卓越性能和低功耗源于研诺的Modular BCD工艺技术。与成熟的传统线性IC制造晶圆厂或通用数字互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺的不同之处在于：ModularBCD通过在单片芯片中，将多电压并带有互补双极场效应的、完全隔离的CMOS和强劲的功率器件集成一体，提供更具成本效益的、模块化制造的模拟、功率和混合信号IC。该工艺无需采用诸如外延附生或高温扩散等复杂昂贵的工艺技术。因此采用ModularBCD生产的器件不仅可提供更高效率、更小尺寸和更高集成度，还可以帮助广泛的移动消费电子设计人员更好地管理电源，延长电池寿命，这些产品包括手机、便携式多媒体播放器、台式和手提电脑、数码相机等。
价格与供货
AAT1160的额定工作温度范围是-40至+85℃，采用无铅、16管脚3 mm X 4 mm TDFN封装，订货量为1000片时每片单价为1.82美元。