奇梦达与尔必达进行技术合作 联手开发4F² DRAM Cell

    　　两大全球领先的内存供货商奇梦达公司与尔必达公司昨天宣布签订共同开发技术合作意向书，将联手开发新一代的内存芯片(DRAM)。在此项合作计划，奇梦达将提供其创新Buried Wordline 的关键技术，尔必达则将提供其先进的堆栈技术。此项策略技术合作将可结合两家公司的力量，加速在DRAM 4F² cell尺寸产品蓝图的发展。 两家公司计划将在2010 年推出共同开发达到40纳米次代技术的创新4F² cell 概念，并将在未来进一步推展至30纳米次代技术。
    
    　　奇梦达公司总裁即首席执行官罗建华(Kin Wah Loh)表示：“与尔必达的策略合作是对我们创新Buried Wordline 技术的最大肯定，奇梦达希望藉由此合作关系加速小尺寸4F² cell的推出。此项技术合作为我们两大 DRAM 技术领导者创造了绝佳的机会，在研发与未来共同量产的资源上达到更好的经济规模。”
    
    　　尔必达社长即首席执行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)表示：“我们在研发上不断的努力，使公司能够在DRAM技术上保持领先。在目前艰难又高度竞争的市场环境下，更快及更有效能的研发新技术日趋重要。我们相信此次与奇梦达共同发展的合作，将加速与强化公司在技术上的优势，带领我们迈向DRAM市场中的领先地位。”
    
    　　两家公司计划共同开发技术平台并设计规范，以促成产品的交换以及合资生产的可行性。双方也确定了在各自的日本广岛和德国的德勒斯登厂，密切合作研发计划，包括双方工程师的互换交流。此外，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via)及未来内存的领域中，寻求共同发展的机会。
    
    　　继合作意向书后，奇梦达及尔必达预计于适当的时间内，完成相关协商及确认合约细节。