飞兆半导体Field Stop Trench IGBT 提高感应加热应用效率并增强系统可靠性

    　　飞兆半导体的FGA20N120FTD和 FGA15N120FTD一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的Field Stop结构和专有的先进Trench gate单元设计的成果。
    
    　　FGA20N120FTD 和 FGA15N120FTD的主要特性包括：
    
    　　低开关损耗，提高系统效率。
    
    　　低饱和电压，降低导通损耗。
    
    　　内置专为ZVS拓扑而优化的快速恢复二极管，有助于设计人员减少元件数目，同时进一步确保系统可靠性。
    
    　　一致的参数分布，减小性能变化。
    
    　　出色的抗雪崩能力，延长使用寿命。
    
    　　FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用无铅 (Pb-free) 引脚，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS)的要求。