Vishay推出新型20V n通道功率MOSFET SiR440DP
日前，威世(Vishay Intertechnology, Inc.)推出一款新型20V n通道器件SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
SiR440DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格表示在4.5V及10V时导通电阻分别降低23%与22.5%，FOM降低27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
Vishay Siliconix SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR-ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块(VRM)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型20V SiR866DP和SiR890DP n通道功率MOSFET。这些器件在4.5V时分别提供2.5mΩ与4mΩ的导通电阻，在10V时为1.9mΩ及2.9mΩ，典型栅极电荷为35.3nC及20nC。所有这三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装。这些器件无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR440DP、SiR866DP和SiR890DP可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。
SiR440DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.0mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格表示在4.5V及10V时导通电阻分别降低23%与22.5%，FOM降低27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
Vishay Siliconix SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR-ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块(VRM)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型20V SiR866DP和SiR890DP n通道功率MOSFET。这些器件在4.5V时分别提供2.5mΩ与4mΩ的导通电阻，在10V时为1.9mΩ及2.9mΩ，典型栅极电荷为35.3nC及20nC。所有这三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装。这些器件无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR440DP、SiR866DP和SiR890DP可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。