Maxim推出高线性度下变频SiGe混频器MAX19996
Maxim推出具有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3000MHz下变频混频器MAX19996。器件采用Maxim专有的单片SiGe工艺设计，具有优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性。该单片IC中完全集成的下变频通道具有+24.5dBm(典型值)的IIP3、8.7dB(典型值)的转换增益以及9.6dB(典型值)的噪声系数。
另外，MAX19996可提供业内最好的2RF-2LO杂散抑制：在-10dBm RF电平下为69dBc、在-5dBm RF电平下为64dBc。MAX19996专为3G/4G无线基础设施应用而设计，在这些应用中，高线性度和低噪声系数对于增强接收机灵敏度和抗阻塞特性非常重要。器件理想用于2.3GHz至2.8GHz WCS、LTE、WiMAX?和MMDS基站。
作为完备的SiGe下变频器，MAX19996集成了业内先进的混频器内核、2个放大器、2个非平衡变压器和多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的IF放大电路。MAX19996优异的2RF-2LO性能，简化了相邻谐波分量的滤波要求，使滤波器的设计更为简单，成本更低。器件集高度集成特性和优异的性能于一体，使下变频器方案的尺寸减小了一半，分立器件数目减小了34%。
MAX19996提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装，与MAX19996A* (2300MHz至3900MHz单片混频器)引脚兼容。器件还与MAX9993/MAX9994/MAX9996 (1700MHz至2200MHz混频器)以及MAX9984/MAX9986 (400MHz至1000MHz混频器)引脚类似。该系列下变频器非常适合多个频段采用相同PCB布局的应用。芯片起价为$6.90 (1000片起，美国离岸价)。
另外，MAX19996可提供业内最好的2RF-2LO杂散抑制：在-10dBm RF电平下为69dBc、在-5dBm RF电平下为64dBc。MAX19996专为3G/4G无线基础设施应用而设计，在这些应用中，高线性度和低噪声系数对于增强接收机灵敏度和抗阻塞特性非常重要。器件理想用于2.3GHz至2.8GHz WCS、LTE、WiMAX?和MMDS基站。
作为完备的SiGe下变频器，MAX19996集成了业内先进的混频器内核、2个放大器、2个非平衡变压器和多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的IF放大电路。MAX19996优异的2RF-2LO性能，简化了相邻谐波分量的滤波要求，使滤波器的设计更为简单，成本更低。器件集高度集成特性和优异的性能于一体，使下变频器方案的尺寸减小了一半，分立器件数目减小了34%。
MAX19996提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装，与MAX19996A* (2300MHz至3900MHz单片混频器)引脚兼容。器件还与MAX9993/MAX9994/MAX9996 (1700MHz至2200MHz混频器)以及MAX9984/MAX9986 (400MHz至1000MHz混频器)引脚类似。该系列下变频器非常适合多个频段采用相同PCB布局的应用。芯片起价为$6.90 (1000片起，美国离岸价)。