Vishay推出新型功率MOSFET SiR476DP
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为89.25nC。
与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5V及10V时导通电阻分别低32%与15%，FOM低42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。
Siliconix SiR476DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR-ing应用中作为低端MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块(c)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET。这些器件在4.5V时提供了4.2mΩ与9mΩ的导通电阻，在10V时为3.2mΩ及7mΩ，典型栅极电荷为20nC及8.4nC。所有这三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装类型。这些器件无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR476DP, SiR892DP, 及SiR850DP的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。
SiR476DP在4.5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为89.25nC。
与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5V及10V时导通电阻分别低32%与15%，FOM低42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。
Siliconix SiR476DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR-ing应用中作为低端MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块(c)、服务器及使用负载点(POL)功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET。这些器件在4.5V时提供了4.2mΩ与9mΩ的导通电阻，在10V时为3.2mΩ及7mΩ，典型栅极电荷为20nC及8.4nC。所有这三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装类型。这些器件无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR476DP, SiR892DP, 及SiR850DP的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。
 |