英飞凌携手美光开发新一代高密度SIM卡数据存储解决方案
芯片卡集成电路全球领先供应商英飞凌科技股份公司与高级内存半导体解决方案全球领先供应商之一美光科技公司近期宣布双方将通过战略性技术合作，开发存储容量超过128MB的高密度用户识别模块（HD-SIM）卡。
HD-SIM卡是扩大存储容量，提高服务水平，同时改善运营商操作的理想产品。高密度与改进的安全功能有机结合，使运营商能够提供多种图形丰富的增值服务，例如移动银行与非接触式移动票务等。此外，运营商可通过自己的无线网络安全地更新或删除各种应用，同时也可随时将新应用、服务和设置下载或存储至高密度SIM卡中，确保快速上市。不过，功能增多也意味着SIM卡的存储解决方案需要不断发展，以便充分利用更快的处理与通信速度，最终提供这些应用所需的更高的存储容量。
为了满足这些需求，英飞凌与美光将携手开发一种创新型高密度解决方案。双方在技术领域实现密切合作，充分利用各自的专业技术制造模块化芯片解决方案，将英飞凌安全微控制器与美光特性丰富的创新N闪存（专门针对高密度SIM卡应用设计）有机结合在一起。美光将采用50nm和34nm工艺制造N闪存。这种组合解决方案经过专门设计，可高效集成至高密度SIM卡，使SIM卡的容量突破128MB，同时提供多种全新特性。
HD-SIM卡是扩大存储容量，提高服务水平，同时改善运营商操作的理想产品。高密度与改进的安全功能有机结合，使运营商能够提供多种图形丰富的增值服务，例如移动银行与非接触式移动票务等。此外，运营商可通过自己的无线网络安全地更新或删除各种应用，同时也可随时将新应用、服务和设置下载或存储至高密度SIM卡中，确保快速上市。不过，功能增多也意味着SIM卡的存储解决方案需要不断发展，以便充分利用更快的处理与通信速度，最终提供这些应用所需的更高的存储容量。
为了满足这些需求，英飞凌与美光将携手开发一种创新型高密度解决方案。双方在技术领域实现密切合作，充分利用各自的专业技术制造模块化芯片解决方案，将英飞凌安全微控制器与美光特性丰富的创新N闪存（专门针对高密度SIM卡应用设计）有机结合在一起。美光将采用50nm和34nm工艺制造N闪存。这种组合解决方案经过专门设计，可高效集成至高密度SIM卡，使SIM卡的容量突破128MB，同时提供多种全新特性。