恩智浦针对L波段雷达应用推出RF晶体管BLL6H1214-500

     恩智浦半导体(NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司)扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。
    
     针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。
    
     恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：
    
     ·500W峰值输出功率(在1.4GHz,100μs脉冲宽度，25%占空比时)
    
     ·17dB增益
    
     ·50%漏极效率
    
     ·更佳耐用度
    
     ·能够承受高达5dB的过驱动能力
    
     ·更佳脉冲顶降 (低于0.2dB)
    
     ·供电电压50V
    
     ·无毒封装、符合ROHS标准
    
     恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶瓷封装，可与BeO封装互相替代。
    
    
     上市时间
    
    
     恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶体管将很快上市。