Ramtron F-RAM系列增加第二款串行器件FM25V05
Ramtron推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V05是工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器的理想替代产品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron较早前也已宣布推出1 Mb的FM25V10产品。
与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V05以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列，并以最高每秒40Mb的速度连续写入数据。与串行闪存和串行EEPROM比较，FM25V05的耐用性高出几个数量级以上，且功率消耗更低。
FM25V05具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。在这些应用中，由于串行闪存或EEPROM器件的写入时间长而出现潜在的数据丢失风险，因此并不适用。
FM25V05具有一个只读器件ID，可以通过独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。
FM25V05可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电为90μA，睡眠模式耗电更低至5μA。FM25V05的有功功率为每MHz 38μA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造，包含各种并行、串行I2C和SPI存储器。先进的制造工艺能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron已计划在2008年年底前推出其它V系列产品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选器件特性，包括独特的序列号和系统重置。
供货
Ramtron现提供符合RoHS标准的8脚SOIC封装FM25V05。
与串行闪存或串行EEPROM不同，FM25V05以总线速度执行写操作，无写入延迟，且数据能够立即写入存储器阵列，并以最高每秒40Mb的速度连续写入数据。与串行闪存和串行EEPROM比较，FM25V05的耐用性高出几个数量级以上，且功率消耗更低。
FM25V05具有高性能F-RAM功能，适用于要求频繁或快速数据写入或低功耗操作的非易失性存储器应用，范围从需要写入次数极高的高频数据采集应用，到严苛的工业控制应用。在这些应用中，由于串行闪存或EEPROM器件的写入时间长而出现潜在的数据丢失风险，因此并不适用。
FM25V05具有一个只读器件ID，可以通过独一无二的序列号和/或系统重置选项来命令它。器件ID提供有关制造商、产品密度和产品版本的信息。独特的序列号使主机拥有一个ID，以区别于世界上任何其它主机。系统重置选项可省去对外部系统重置部件的需要。
FM25V05可在-40°C至+85°C的工业温度范围工作，以40MHz SPI时钟速率运行时耗电仅为3mA，待机模式耗电为90μA，睡眠模式耗电更低至5μA。FM25V05的有功功率为每MHz 38μA，其电流较同类串行闪存或EEPROM产品低一个数量级。
Ramtron的V系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的公认的130nm CMOS生产工艺制造，包含各种并行、串行I2C和SPI存储器。先进的制造工艺能够提高产品的技术规格及扩展其功能集。Ramtron已计划在2008年年底前推出其它V系列产品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列产品均具有可选器件特性，包括独特的序列号和系统重置。
供货
Ramtron现提供符合RoHS标准的8脚SOIC封装FM25V05。
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