ST推出手机音频滤波器与ESD保护电路二合一芯片EMIF06-AUD01F2
意法半导体（ST）推出耳机和话筒接口芯片EMIF06-AUD01F2，在一个大小仅为2.42 x 1.92mm的倒装片封装内，新产品集成了完整的EMI（电磁干扰）滤波电路和ESD（静电放电）保护电路，以保护手机的立体声耳机输出端口和内外部话筒输入端口，提高多功能手机的音频性能。
通过在话筒线路上使用高密度的1.3nF锆钛酸铅（PZT）电容器，EMIF06-AUD01F2在800-2480MHz的阻带内的衰减度（S21）达到–25dB，从而消除了人耳能够听见的手机信号解调噪声，或称‘大黄蜂\’的蜂鸣声。TVS（瞬变电压抑制）二极管、低电感封装和Z-R-Z pi-滤波器拓扑的组合，则帮助提高新产品的ESD保护功能。
作为首款用于保护手机扬声器|蜂鸣器和话筒输出输入通道、滤波与ESD保护二合一芯片，EMIF06-AUD01F2较目前的双片芯片组加外部电阻器的集成解决方案节省电路板空间50%，更比等效的分立解决方案节省电路板空间77%。新产品内部集成了所有必需的偏压电路以及一个10Ω的扬声器输出电阻。此外，仅有0.65mm的封装厚度，让设计人员得以在时尚、超薄的手机设计中增加先进的功能。
与以前的集成或分立解决方案相比，新产品兼有节省空间、音频性能优异和高ESD保护功能。内部集成TVS二极管的钳位峰压为20V，使外部引脚能够达到IEC61000-4-2 4级ESD保护标准。总谐波失真度（THD）小于–75dB，同时新产品实现了大功率音频输出，每声道输出功率高达135mA，扬声器的重放音质完美无瑕。这一切归功于芯片级封装优异的散热效率，支持285mW的连续总功耗。
通过在话筒线路上使用高密度的1.3nF锆钛酸铅（PZT）电容器，EMIF06-AUD01F2在800-2480MHz的阻带内的衰减度（S21）达到–25dB，从而消除了人耳能够听见的手机信号解调噪声，或称‘大黄蜂\’的蜂鸣声。TVS（瞬变电压抑制）二极管、低电感封装和Z-R-Z pi-滤波器拓扑的组合，则帮助提高新产品的ESD保护功能。
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作为首款用于保护手机扬声器|蜂鸣器和话筒输出输入通道、滤波与ESD保护二合一芯片，EMIF06-AUD01F2较目前的双片芯片组加外部电阻器的集成解决方案节省电路板空间50%，更比等效的分立解决方案节省电路板空间77%。新产品内部集成了所有必需的偏压电路以及一个10Ω的扬声器输出电阻。此外，仅有0.65mm的封装厚度，让设计人员得以在时尚、超薄的手机设计中增加先进的功能。
与以前的集成或分立解决方案相比，新产品兼有节省空间、音频性能优异和高ESD保护功能。内部集成TVS二极管的钳位峰压为20V，使外部引脚能够达到IEC61000-4-2 4级ESD保护标准。总谐波失真度（THD）小于–75dB，同时新产品实现了大功率音频输出，每声道输出功率高达135mA，扬声器的重放音质完美无瑕。这一切归功于芯片级封装优异的散热效率，支持285mW的连续总功耗。