卓芯微电子P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB出炉
卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。
该两款产品主要应用在充电电路，DC/DC 转换器和LED控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用USB接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。
这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分，主要适用于基于MTK平台、ADI平台、Spreadtrum平台以及部分TI平台和Infineon平台的方案中。其基本电路如图所示：
电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流，肖特基二极管可防止电流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封装(3.0×2.0×0.8mm)，RCRH0003FB采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，相比同类产品，具有以下优势：
采用了更薄的封装，适用于超薄机型设计；
在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。
该两款产品主要应用在充电电路，DC/DC 转换器和LED控制电路。整个器件在正向导通时具有很低的正向压降，不仅满足使用USB接口进行充电的要求，同时具有极低的功率耗散，提升整个系统的能效。
这两款产品已广泛应用于手机充电线路部分，主要适用于基于MTK平台、ADI平台、Spreadtrum平台以及部分TI平台和Infineon平台的方案中。其基本电路如图所示：
电源管理器件通过控制栅极电压来控制充电电流，肖特基二极管可防止电流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封装(3.0×2.0×0.8mm)，RCRH0003FB采用DFN2×2封装(2.0×2.0×0.55mm)，相比同类产品，具有以下优势：
采用了更薄的封装，适用于超薄机型设计；
在器件腹部增加了散热片，大幅提升器件额定功耗和散热能力，防止PCB热损伤，提升整机安全性。