TI推出DDR终端稳压器TPS51200，满足低功耗存储器要求
日前，德州仪器(TI)宣布推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率(DDR)终端稳压器TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20 μF，比同类竞争解决方案的电容降低了近80%。这样，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的DDR存储器终端解决方案，以满足数字电视、机顶盒、VGA卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。
高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为 -1.5A ～+1.5A的典型应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置电压下工作，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外，在RAM暂停工作时，该器件还支持S3 睡眠状态控制。
TPS51200 也可用作输入电压范围为 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电功能，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。
TPS51200的推出进一步增强了TI丰富的DDR存储器电源解决方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR终端稳压器，集成汲极／源极LDO的TPS51116 DDR 电源转换开关以及支持DDR终端的TPS40042低电压跟踪开关稳压器。TPS51200还进一步丰富了TI面向存储器技术领域已经非常广泛的DDR、DDR2与DDR3锁相环(PLL)以及LDO 产品，其中包括SN74SSQE32882，作为支持寄存式双列直插式存储器模块的PLL集成式DDR3寄存器，现已全面投入量产。
供货情况
采用散热性能增强型SON-10 PowerPAD集成电路封装的TPS51200产品现已批量上市，可通过TI及其授权分销商订购。
高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为 -1.5A ～+1.5A的典型应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200能在2.375 V~ 3.5V的偏置电压下工作，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外，在RAM暂停工作时，该器件还支持S3 睡眠状态控制。
TPS51200 也可用作输入电压范围为 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电功能，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。
TPS51200的推出进一步增强了TI丰富的DDR存储器电源解决方案系列，其中包括支持TPS51100 DDR终端稳压器，集成汲极／源极LDO的TPS51116 DDR 电源转换开关以及支持DDR终端的TPS40042低电压跟踪开关稳压器。TPS51200还进一步丰富了TI面向存储器技术领域已经非常广泛的DDR、DDR2与DDR3锁相环(PLL)以及LDO 产品，其中包括SN74SSQE32882，作为支持寄存式双列直插式存储器模块的PLL集成式DDR3寄存器，现已全面投入量产。
供货情况
采用散热性能增强型SON-10 PowerPAD集成电路封装的TPS51200产品现已批量上市，可通过TI及其授权分销商订购。