IR推出MOSFET 将封装电流额定值提升了60%

IR推出MOSFET 将封装电流额定值提升了60%

     国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
    
     新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。
    
     IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带，而且还能让数枚MOSFET分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。”
    
     全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
    
     产品基本规格如下：