Vishay推出同体封装功率二极管的MOSFET SiA850DJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190V n通道功率MOSFET——SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封装的SiA850DJ还是在1.8V VGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。
SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED(OLED)背光。
将MOSFET及功率二极管整合到同一封装可帮助设计人员节约至少三分之一的PCB面积，同时由于无需使用外部二极管，因此可降低解决方案成本。较大器件在2.5V时达到导通电阻额定值，而SiA850DJ在1.8V时便可达到导通电阻额定值，由于无需使用电平位移电路，这进一步节约了板面空间。该器件的导通电阻值范围介于1.8V VGS时17Ω～4.5V VGS时3.8Ω，0.5A时二极管正向电压为1.2 V。
SiA850DJ 100%无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS规范，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，新型SiA850DJ的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。
SiA850DJ的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3播放器及智能电话等便携式设备中的有机LED(OLED)背光。
将MOSFET及功率二极管整合到同一封装可帮助设计人员节约至少三分之一的PCB面积，同时由于无需使用外部二极管，因此可降低解决方案成本。较大器件在2.5V时达到导通电阻额定值，而SiA850DJ在1.8V时便可达到导通电阻额定值，由于无需使用电平位移电路，这进一步节约了板面空间。该器件的导通电阻值范围介于1.8V VGS时17Ω～4.5V VGS时3.8Ω，0.5A时二极管正向电压为1.2 V。
SiA850DJ 100%无铅(Pb)，无卤素，并且符合RoHS规范，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，新型SiA850DJ的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为10～12周。