赛普拉斯推出三款SRAM系列新品

    
    
    
     2009年4月8日，北京讯，日前，赛普拉斯半导体公司 (NYSE: CY) 宣布推出了一款低功耗 SRAM 和两款快速异步 SRAM，进一步丰富了其业界领先的产品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市场上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延长高端销售点终端、游戏应用、VoIP 电话、手持消费和医疗设备等应用的电池工作时间。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速异步 SRAM 与 24 位宽的处理器相连接，能充分满足音频处理、无线和网络等应用的需求。
    
     赛普拉斯是快速异步和低功耗 SRAM 领域的业界领先企业，旗下的产品系列从 4 千比特 (Kbits)至 32 兆比特以及 64 千比特至64兆比特等应有尽有。CY62187EV30LL 64兆比特3V MoBL SRAM 提供 4M x 16 配置，通常的超低待机电流仅为 8 uA，存取时间仅为55-ns (taa)。其采用符合 RoHS 标准的 48-BGA 封装，体积为 8.0 x 9.5 x 1.4 mm，是同等密度水平下同类产品中最小的封装。
    
     CY7C1024DV33 3兆比特 3.3V SRAM 提供 128K x 24 配置，CY7C1034DV33 6兆比特 3.3V SRAM 提供 256K x 24 配置。这两款产品的存取时间都为 10-ns，采用符合 RoHS 标准的 119-BGA 封装。异步 SRAM 是采用赛普拉斯高性能 90 纳米 C9™ CMOS 工艺技术制造的。
    
     赛普拉斯异步存储器业务部的副总裁 Badri Kothandaraman 指出：“赛普拉斯不断投资于异步SRAM 领域，这体现了我们多年来对 SRAM 市场的长期重视。我们决心推出满足多种应用需求的新产品，从而不断加强自身在 SRAM 市场领域中的领先地位。”
    
     供货情况及产品图片
    
     CY62187EV30LL 64 兆比特 MoBL SRAM 目前已经推出样品，预计将于 2009 年 6 月开始量产。CY7C1024DV33 3 兆比特 SRAM 和 CY7C1034DV33 6 兆比特 SRAM 目前已经量产上市。