安森美半导体扩充ASIC系列 投资于110 nm技术及知识产权

    
    
    
     昨日，全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与LSI 公司(NYSE: LSI)达成的协议，进一步扩充专用集成电路(ASIC)系列。这协议让安森美半导体的客户能够通过设在美国俄勒冈州Gresham的安森美半导体晶圆制造厂，获得成熟及高性价比的110纳米(nm)工艺技术，及相关的经过硅验证的知识产权(IP)。
    
     这110 nm“系统平台”SP110为客户提供高密度、高性能的技术，并比类似技术将一次性工程 (NRE)成本减至最低，且将上市时间缩至最短。SP110最高的工作频率为450兆赫(MHz)， IP阵容丰富，能够满足90 nm或更小节点技术的众多性能和功能要求，省却这些技术的开发成本及工艺经常费用。此外，SP110提供比某些主流130 nm技术更优的性能及更低的能耗。
    
     SP110结合工艺优势、丰富的IP选择及技术支援，满足通信、消费、工业及医疗等市场的客户需求。SP110方案非常贴合军事及航空应用，充分发挥基于美国的设计和制造优势，端到端地符合国际武器贸易规章(ITAR)要求。SP110还会遵从QML和AS9100等专门的军事/航空质量标准。
    
     安森美半导体总裁兼首席执行官傑克信(Keith Jackson)说：“我们的是项SP110投资，足证我们不断致力于拓展ASIC业务。我们还计划将这技术用于需要更高数字电路成分及性能、同时将能耗降至最低的未来专用标准产品(ASSP)和标准产品平台。”
    
     根据与LSI达成的协议条款，安森美半导体将提供广泛的IP系列，包括支持PCI Express、千兆位以太网(GbE)和10 Gbps连接单元接口(XAUI)等接口标准的串行解串器(SerDes)方案。SP110客户还将能够利用安森美半导体其它经过硅验证、可综合的IP阵容，包括用于USB 2.0、以太网媒体访问控制器(MAC)、微控制器、时序产生器和DDR 1/2/3存储器控制器等的IP模块。
    
     SP110利用低K铜(Cu)互连技术，提供达9个金属层，包括2个重分布层(RDL)。这技术支持 1.2伏特(V)的内核电压及1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V的输入/输出(I/O)电压。安森美半导体提供SP110的网表及寄存器传输级(RTL)交递(handoff)方法，确保为设计人员提供最大的灵活性。
    
     安森美半导体数字及混合信号产品部高级副总裁Bob Klosterboer说：“这令人振奋的新平台使我们能够提供前所未有独特的相关工艺组合优势，如在岸(on-shore)生产和110 nm ASIC性能，配以宽广的IP，使安森美半导体更好地服务我们现有的客户及拓展至新的定制IC市场。”
    
     LSI定制方案部高级副总裁兼总经理Sudhakar Sabada说：“我们非常高兴与安森美半导体合作，拓展我们强固、经过硅验证的110 nm工艺技术和IP。双方携手下，安森美半导体能为他们的客户提供吸引的设计平台，应用于不同的方案。”