Soitec发布超薄SOI技术 支持22nm全耗尽器件

Soitec发布超薄SOI技术 支持22nm全耗尽器件

     法国SOI技术供应商Soitec宣布其300mm超薄SOI（UTSOI）晶圆平台可支持22nm及以下节点全耗尽器件的应用。
    
     Soitec称有能力制造超薄顶层硅（20nm）SOI晶圆，均匀性可达小于5 angstroms，且可实现大批量高成品率生产。
    
     Soitec还表示，客户可根据需求来制定相关参数，成本和目前主流SOI晶圆相当。
    
     “超薄SOI为平坦化超薄体区器件提供了坚实基础，使设计人员在保留性能的前提下大幅减小功耗和漏电。该技术简化了CMOS工艺整体架构，从而降低了成本。”Soitec公司COO Paul Boudre说道。