安森美半导体推出业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管
2009年8月19日，全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。
这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流，额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA，其中后者是业界最小巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题，例如手机、MP3播放器和数码相机等。
安森美半导体小信号产品分部总监兼总经理何焘(Dan Huettl)说：“我们客户持续面对设计挑战，要在空间受限的应用中取舍优化电路板布线与系统性能的问题。安森美半导体遂推出超小型0201 DSN-2肖特基势垒二极管，回应系统设计人员的诉求，优化便携应用的电源管理。”
这些肖特基二极管封装底部含有可焊接金属触点，令工作的硅片百分之百地利用封装面积。新的0201 DSN-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，与常见的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也称作0402)封装相比，节省3倍的电路板空间。这些新器件的泄漏电流为市场上最低，帮助设计人员解决功率损耗、效率及开关速度问题。与采用传统塑模封装的竞争组件相比，新的肖特基二极管的板面积性能显着提升，傲视同侪。它们的电源管理特性，也领先同类产品，有助延长便携设备应用中的电池使用时间。
NSR0xF30NXT5G器件系列优化了正向电压降(Vf)，在10 mA正向电流时仅为370毫伏(mV)，进一步突显这系列的先进、高性能规格。NSR0xL30NXT5G器件系列设计用于低反向电流(Ir)，在10 V反向电压时仅为0.2微安(µA)，且泄漏电流极低，延长电池使用时间。这两个系列的器件提供人体模型(HBM) 3B类和机器模型(MM) C类的ESD额定能力及低热阻抗，为设计工程师解决在小电路板空间中纳入越来越多电路的挑战。这些肖特基二极管符合RoHS指令，工作温度范围为–40°C至+125°C，非常适用于苛刻室内及室外环境中的设备。
这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流，额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA，其中后者是业界最小巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题，例如手机、MP3播放器和数码相机等。
安森美半导体小信号产品分部总监兼总经理何焘(Dan Huettl)说：“我们客户持续面对设计挑战，要在空间受限的应用中取舍优化电路板布线与系统性能的问题。安森美半导体遂推出超小型0201 DSN-2肖特基势垒二极管，回应系统设计人员的诉求，优化便携应用的电源管理。”
这些肖特基二极管封装底部含有可焊接金属触点，令工作的硅片百分之百地利用封装面积。新的0201 DSN-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，与常见的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也称作0402)封装相比，节省3倍的电路板空间。这些新器件的泄漏电流为市场上最低，帮助设计人员解决功率损耗、效率及开关速度问题。与采用传统塑模封装的竞争组件相比，新的肖特基二极管的板面积性能显着提升，傲视同侪。它们的电源管理特性，也领先同类产品，有助延长便携设备应用中的电池使用时间。
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NSR0xF30NXT5G器件系列优化了正向电压降(Vf)，在10 mA正向电流时仅为370毫伏(mV)，进一步突显这系列的先进、高性能规格。NSR0xL30NXT5G器件系列设计用于低反向电流(Ir)，在10 V反向电压时仅为0.2微安(µA)，且泄漏电流极低，延长电池使用时间。这两个系列的器件提供人体模型(HBM) 3B类和机器模型(MM) C类的ESD额定能力及低热阻抗，为设计工程师解决在小电路板空间中纳入越来越多电路的挑战。这些肖特基二极管符合RoHS指令，工作温度范围为–40°C至+125°C，非常适用于苛刻室内及室外环境中的设备。