尔必达开发出由TSV层叠8层1Gbit DRAM芯片的器件

     尔必达内存宣布，该公司开发出了由TSV（硅通孔）层叠8层1Gbit DRAM芯片的器件。电极材料由当初的多晶硅改为低电阻的铜（Cu），从而可降低服务器用高速DRAM的功耗。
    
     但与提高DRAM容量相比，该公司真正追求的是包括逻辑电路在内的异种器件层叠。作为DRAM专业厂商，该公司最终的目的是逐步将微处理器、闪存、RF电路以及MEMS传感器等异种工艺的芯片三维层叠起来，并作为系统元器件（解决方案元器件）提供。以满足半导体客户对比单枚芯片更接近集成功能的系统元器件的要求。通过利用TSV，与利用SoC进行单芯片集成相比，可大幅降低设计成本。制造成本取决于TSV的加工成本，因此将继续推进TSV的低成本化。
    
     该公司将TSV用做异种元件的粘合剂，意图从DRAM专业厂商的固有方法中挣脱出来。今后，在技术方面该公司将力争通过增加层叠数，在单芯片上高密度安装数千个TSV以确保较高的可靠性。