飞兆FDFME3N311ZT有效提高升压转换电路效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT，有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC)，以提升DC-DC升压设计的效率。
FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) MicroFET 薄型封装中，集成了两个分立器件，不但能够满足紧凑型DC-DC升压设计的需求，而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间。
FDFME3N311ZT提供30V的击穿电压，可为手机等应用驱动多达7个或8个白光LED(实际数字取决于所选择的LED和设计保护带)。白光LED通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明，一般以串联方式连接，以确保每个LED具有相同的正向电流和亮度。以每个LED的正向电压约为3-3.5V计算，使用这款升压开关将有助于逐步提高现有的电池升压输出电压(大多数情况下为单一锂电池)。
这款升压开关是飞兆半导体多元化的MOSFET产品系列的最新成员，该产品系列具有宽泛的击穿电压 (20V-1000V) 范围和先进的封装技术等特点，能够解决现时设计所面对的各种复杂的功率和空间难题。
价格 (订购1,000个，每个)： 0.25美元
供货：现提供样品
交货期：收到订单后8至12周
FDFME3N311ZT 采用飞兆半导体专有的PowerTrench工艺技术，通过仔细优化动态性能来降低开关损耗。其肖特基二极管的反向泄漏电流随温度升高的变化小，可以防止转换器效率随封装温度升高而降低。该器件在紧凑 (1.6mm x 1.6mm) 和低侧高 (0.55mm) MicroFET 薄型封装中，集成了两个分立器件，不但能够满足紧凑型DC-DC升压设计的需求，而且相比先前的升压开关产品节省36% 的电路板空间。
FDFME3N311ZT提供30V的击穿电压，可为手机等应用驱动多达7个或8个白光LED(实际数字取决于所选择的LED和设计保护带)。白光LED通常用作手机等移动设备的显示器的背光照明，一般以串联方式连接，以确保每个LED具有相同的正向电流和亮度。以每个LED的正向电压约为3-3.5V计算，使用这款升压开关将有助于逐步提高现有的电池升压输出电压(大多数情况下为单一锂电池)。
这款升压开关是飞兆半导体多元化的MOSFET产品系列的最新成员，该产品系列具有宽泛的击穿电压 (20V-1000V) 范围和先进的封装技术等特点，能够解决现时设计所面对的各种复杂的功率和空间难题。
价格 (订购1,000个，每个)： 0.25美元
供货：现提供样品
交货期：收到订单后8至12周