Cypress推出具有集成实时时钟功能的新串行产品系列
赛普拉斯半导体 宣布推出一款1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM)系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。
赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8 0.13-微米 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。nvSRAM对于要求绝对数据非易失安全性的应用来说是理想的选择，如RAID系统、工业控制和自动化（如PLC，马达控制、马达驱动和机器人）、单板计算机、POS终端、电子抄表、汽车、医疗和数据通信系统。
串行nvSRAM系列包括拥有多种配置和标准SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN 和 16-pin SOIC小尺寸封装，工作频率最高可达40MHz。其中一款产品还集成了RTC。
赛普拉斯的并行nvSRAM的存取时间可达20纳秒，读、写和取回次数是无限的，数据最长可以保存20年。新的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM集成了一个RTC，从而能够为重要数据打上时间标记以便备份，同时还提供了可编程报警功能和看门狗时钟。欲了解更多关于赛普拉斯nvSRAM产品系列的信息，请访问www、cypress、com/go/NVM、
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“我们新的串行系列产品扩充了我们业界领先的nvSRAM产品系列，满足了高可靠、工业标准、少管脚封装的要求。同样，在nvSRAM中集成实时时钟也使得我们的产品能够应用于原先采用BBSRAM的市场。”
赛普拉斯的nvSRAM兼容ROHS，且可直接替代SRAM、电池供电的SRAM(BBSRAM)和EEPROM器件，无需电池即可实现数据的快速非易失性存储。断电的时候，数据会自动从SRAM传输到器件的非易失性单元中。而当供电恢复时，数据则从非易失性存储单元恢复到SRAM中。这两种操作也可由软件控制。nvSRAM减少了板级空间，降低了设计复杂性。
作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯正在其下一代PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中采用S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并具有多种优势，例如高可靠性、低功耗、抗辐射。此外，与其他基于磁或铁电的非易失性存储器技术相比，SONOS技术更可靠，更易于生产，更容易扩大产能。
供货情况及照片
赛普拉斯的1-Mbit串行nvSRAM的配置为128k x 8，目前已投产。CY14B101Q1 和 CY14B101Q2器件采用8-pin DFN封装。具有RTC的CY14B101P串行器件和CY14B101Q3采用16-pin SOIC封装。
具有RTC的4-Mbit nvSRAM的配置分别为512k x 8 (CY14B104K) 和 256k x 16 (CY14B104M)，目前也已投产。具有RTC的8-Mbit nvSRAM的配置分别为1024k x 8 (CY14B108K) 和 512k x 16 (CY14B108M)，目前正在出样，预计2010年初投产。4-Mbit 和 8-Mbit器件均采用44-pin 和 54-pin TSOP II封装。
关于赛普拉斯的nvSRAM
赛普拉斯的nvSRAM采用存储在外部电容中的电荷而非电池，因而该器件兼容标准的PCB装配流程。器件采用8-Mbit/3V, 4-Mbit/3V, 1-Mbit/5V, 1-Mbit/3V, 256-Kbit/3V, 256-Kbit/5V, 64-Kbit/5V 和 16-Kbit/5V的配置。该器件具有高度可扩展性，1-Mbit 和256-Kbit器件采用小型32-pin SOIC 和 48-pin SSOP封装。8-Mbit, 4-Mbit和 2-Mbit器件采用48-pin FBGA, 44-pin TSOP II 和 54-pin TSOP II封装。nvSRAM产品系列支持管教兼容的升级，以便提高密度和满足实时时钟的要求。
在RAID应用中，如遇断电，nvSRAM可进行高速数据传输并保证数据的完整性。应用于复印机时，nvSRAM可进行高速数据存取，且无需使用电池。手持式仪表也可利用nvSRAM的数据缓冲能力快速获取上传到服务器中的数据。
赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8 0.13-微米 SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。nvSRAM对于要求绝对数据非易失安全性的应用来说是理想的选择，如RAID系统、工业控制和自动化（如PLC，马达控制、马达驱动和机器人）、单板计算机、POS终端、电子抄表、汽车、医疗和数据通信系统。
串行nvSRAM系列包括拥有多种配置和标准SPI接口的1-Mbit器件，采用8-pin DFN 和 16-pin SOIC小尺寸封装，工作频率最高可达40MHz。其中一款产品还集成了RTC。
赛普拉斯的并行nvSRAM的存取时间可达20纳秒，读、写和取回次数是无限的，数据最长可以保存20年。新的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM集成了一个RTC，从而能够为重要数据打上时间标记以便备份，同时还提供了可编程报警功能和看门狗时钟。欲了解更多关于赛普拉斯nvSRAM产品系列的信息，请访问www、cypress、com/go/NVM、
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“我们新的串行系列产品扩充了我们业界领先的nvSRAM产品系列，满足了高可靠、工业标准、少管脚封装的要求。同样，在nvSRAM中集成实时时钟也使得我们的产品能够应用于原先采用BBSRAM的市场。”
赛普拉斯的nvSRAM兼容ROHS，且可直接替代SRAM、电池供电的SRAM(BBSRAM)和EEPROM器件，无需电池即可实现数据的快速非易失性存储。断电的时候，数据会自动从SRAM传输到器件的非易失性单元中。而当供电恢复时，数据则从非易失性存储单元恢复到SRAM中。这两种操作也可由软件控制。nvSRAM减少了板级空间，降低了设计复杂性。
作为SONOS工艺技术的领先者，赛普拉斯正在其下一代PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中采用S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并具有多种优势，例如高可靠性、低功耗、抗辐射。此外，与其他基于磁或铁电的非易失性存储器技术相比，SONOS技术更可靠，更易于生产，更容易扩大产能。
供货情况及照片
赛普拉斯的1-Mbit串行nvSRAM的配置为128k x 8，目前已投产。CY14B101Q1 和 CY14B101Q2器件采用8-pin DFN封装。具有RTC的CY14B101P串行器件和CY14B101Q3采用16-pin SOIC封装。
具有RTC的4-Mbit nvSRAM的配置分别为512k x 8 (CY14B104K) 和 256k x 16 (CY14B104M)，目前也已投产。具有RTC的8-Mbit nvSRAM的配置分别为1024k x 8 (CY14B108K) 和 512k x 16 (CY14B108M)，目前正在出样，预计2010年初投产。4-Mbit 和 8-Mbit器件均采用44-pin 和 54-pin TSOP II封装。
关于赛普拉斯的nvSRAM
赛普拉斯的nvSRAM采用存储在外部电容中的电荷而非电池，因而该器件兼容标准的PCB装配流程。器件采用8-Mbit/3V, 4-Mbit/3V, 1-Mbit/5V, 1-Mbit/3V, 256-Kbit/3V, 256-Kbit/5V, 64-Kbit/5V 和 16-Kbit/5V的配置。该器件具有高度可扩展性，1-Mbit 和256-Kbit器件采用小型32-pin SOIC 和 48-pin SSOP封装。8-Mbit, 4-Mbit和 2-Mbit器件采用48-pin FBGA, 44-pin TSOP II 和 54-pin TSOP II封装。nvSRAM产品系列支持管教兼容的升级，以便提高密度和满足实时时钟的要求。
在RAID应用中，如遇断电，nvSRAM可进行高速数据传输并保证数据的完整性。应用于复印机时，nvSRAM可进行高速数据存取，且无需使用电池。手持式仪表也可利用nvSRAM的数据缓冲能力快速获取上传到服务器中的数据。