三星电子计划2010年将DRAM市占率提升至45%

三星电子计划2010年将DRAM市占率提升至45%

  据Korea Times报导，全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)计划于2010年将全球DRAM市场市占率提升至45%。

三星高层透露，三星看好存储器芯片市场的未来展望，计划于2010年将全球DRAM市占率提升至45%，同时，这项策略代表三星将从2009年预期的36%市占率，提升9个百分点。

三星发言人Kin Choon-gon不愿证实这项消息，表示此讯息相当敏感，仅透露三星预期2010年在DRAM市场市占率将些微增加数个百分点。

此外，三星高层表示，受惠于智能型手机销售增加，三星也计划2010年将于NAND Flash市场的市占率由2009年预期的40%提升至45%。

三星于DRAM和NAND Flash市场皆为领导厂商，根据研究机构DRAMeXchange资料，至2009年第3季为止，三星在DRAM市场市占率为31.1%，NAND Flash市场则为38.5%；此外，三星2010年的目标透露三星对存储器芯片产业的积极态度。

三星投资关系(Investor Relations team)负责人Robert Yi表示，2009年三星投资于存储器芯片的金额约为4兆韩元(约35亿美元)，而2010年投资金额至少将增加至5.5兆韩元。

此外，三星芯片部门负责人Kwon Oh-hyun表示，2010年全球存储器产业将成长16%，同时，Kwon Oh-hyun预期2010年市场将供不应求，存储器价格将持续止跌回升。

投资机构Woori Investment分析师Park Young-joo表示，三星有可能达成调升的目标，三星先进的技术和低成本优势将帮助三星增加市占率，此外，三星的芯片部门为带动三星净利提升的主要动力。

三星日前表示计划于2012年增加半导体营收至255亿美元，较2009年的预期营收166亿美元成长超过50%。