Everspin科技推出16Mb MRAM

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁产品厂商Everspin科技公司5月14日推出16Mb MRAM。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。

　　Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

　　MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

　　MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。

　　16Mb MRAM系列包括商业级(0°C至+70 °C)和工业级(-40°C至+85 °C)两种温度范围。现已可提供样品，并预计于2010年7月开始量产。