Everspin推出更高容量MRAM产品MR4A16B

中电网 2010-05-20 a:2:{i:0;s:8:"Everspin";i:1;s:4:"MRAM";}

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。

MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。

供货情况

新款16Mb MRAM系列包括商业级(0°C至+70 °C)和工业级(-40°C至+85 °C)两种温度范围。现已可提供样品，并预计于2010年7月开始量产。价格咨询请联系Everspin销售部和代理商。

Everspin的产品系列

Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成员后，现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。