未来大部分3G/LTE基站将采用砷化镓PA LDMOS PA将淡出

TriQuint半导体公司中国区总经理熊挺指出：“今天的3G基站大部分用LDMOS PA，但未来的3G、LTE基站大部分将采用砷化镓PA。我们开发的28V砷化镓双极HVT工艺可使PA的功率达到100-200W功率，效率高达45%以上。这一性能已超过当今最好的LDMOS PA。”

他说，Triquint的砷化镓PA可使点对点微波设备通信距离高达几十公里，目前全球市场份额高居榜首的爱立信和NEC基站就采用我们的PA。CMOS PA虽然有价格优势，但由于其工艺的局限性，功率、效率和线性度等性能一直在追赶砷化镓PA，短期内看不到后来居上的可能性。目前CMOS PA大部分用在中低端手机终端上，如山寨GSM手机。

TriQuint最新二款针对3G/4G绿色基站的PA是120W和220W的TriPower系列HV-HBT 砷化镓晶体管放大器，它们均能实现高达55%的效率。

TriPower产品在设计上采用高压异质结双极型晶体管(HV-HBT)和砷化镓工艺 (GaAs)，有助于无线基站制造商和网络运营商提高效率，同时满足3G/4G蜂窝通信系统线性要求。当用在提高对称Doherty放大器的最大效率，两个TriQuint TG2H214120 120W器件效率可以提供大于60W WCDMA平均功率时的55%效率。由于TriPower具有极高效率，因此，运营商可将大型放大器安装在现有基站塔顶上，毋需相应增加尺寸和重量，相对地大功率放大器可以提高基站范围内所有用户的数据传输速率。

更有效的放大器意味着节省更多的费用。以一个覆盖中型城市和周边地区含有2,000个此类放大器的通信网络为例，基于TriPower的通信网络每年可比目前部署的典型系统少排放340吨的二氧化碳。如按照美国林业局每亩森林年吸收2.6吨二氧化碳的标准进行换算，使用TriPower这样的系统相当于在生态系统增加130多亩的树木。

TriPower系列是Triquint最新推出的革命性高功率晶体管产品，TriPower的名称来自三个主要技术指标：高功率、高效率、高线性度。不使用TriPower技术的系统，平均效率只能接近42％；而采用TriPower技术的系统能够减少电力需求和较小规模的碳足迹，其效率达到创纪录的55％。

熊挺指出：“TriPower对基站放大器具有革命性的意义。传统半导体技术无法有效满足3G和4G网络复杂的调制要求。作为GaAs（砷化镓）和 GaN（氮化镓）工艺技术的领导者，TriQuint检验两种不同工艺的器件在大功率基站应用的潜力。我们认为，从可靠性、成本和效率角度看，TriPower的砷化镓 HV-HBT技术是最佳选择。我们最新推出的 TriPower器件提供目前市场上最低的功耗，并支持新型、高效、塔顶远端射频头设计。TriPower技术改变了游戏规则。”

熊挺补充道，TriQuint公司采用专利工艺、设计和制造技术实现TriPower出色的效能表现。TriPower射频集成电路可以很容易地使用传统的数字预失真（DPD）技术来线性化。

市场研究机构EJL Wireless Research LLC.总裁Earl J. Lum指出：“我们认为像 TriPower这样可提高整体射频放大器功率的任何技术，未来将使业界能满足高PAR（峰均比）放大器更严格的能源需求。我们预测到2013年，在出货量方面，较高的峰均比多模的3G WCDMA / HSPA和4G LTE基站，将迅速取代传统的2G GSM移动通信基站（基站收发信机），并且其市场份额将从25％提高到超过50％。按单位出货量计算，从2008 年到2013年，高峰均比基站放大器将以每年85%的速度急剧增长。”