集邦科技：2011年DRAM恐跌价3成 维持获利

DRAM 厂制程技术纷纷加速于今年下半年推进至40奈米世代，恐将引发价格走跌，集邦科技预期，明年DRAM均价将下挫3成，不过，DRAM厂仍可望维持获利状态。

集邦科技表示，全球动态随机存取内存 (DRAM)与储存型闪存 (NAND Flash)龙头厂三星电子决定将今年内存事业群投资金额由5.5兆韩元 (约48亿美元)，扩大到9兆韩元 (约78亿美元)。

三星将兴建20万片的12吋晶圆厂，生产DRAM与NAND Flash，估计新厂最快明年第3季投片生产；此外，三星下半年也将扩充现有产能，并将DRAM制程技术转进35奈米，同时将强化晶圆代工业务。

集邦指出，三星是今年全球DRAM业资本支出金额最大的厂商，所占比重将达41%；随着扩大投资，三星DRAM全球市占率也将进一步攀高，明年有机会突破4 成水平。

面对三星扩大投资，集邦表示，其它DRAM厂也将积极强化竞争力，海力士将加速DRAM制程技术推进至44奈米；美光阵营也加速制程技术推进至42奈米。

尔必达旗下DRAM制造厂瑞晶42奈米制程技术也将于7月正式投片。

集邦表示，随着DRAM厂制程技术陆续推进，产出将增加，并将带动价格走跌，预期明年DRAM均价恐较今年下滑3成，不过，价格下跌可望刺激DRAM搭载容量扩增至4GB。

此外，集邦指出，DRAM厂成本也将随着制程技术推进而下降，明年DRAM厂普遍仍可望维持获利状态。