尔必达赴台设NAND Flash研发中心
来源:SEMI中国 作者:—— 时间:2010-07-20 09:09
据了解,日商尔必达已决定来台设立研发中心,且选定投入高阶技术NAND Flash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币,未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。
据悉,尔必达与台湾创新存储器公司(TIMC)合作虽然破局,但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在,政府单位与尔必达互动密切,尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书,经济部正进行审查中。
官员透露,尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟,已进入实质合作内容洽谈中,研发中心切入的产品并非一般的动态存储器(DRAM),而是切入高阶的NAND Flash产品的研发。
NAND Flash技术领先DRAM一个世代,目前全球前五大制造厂被三星、东芝、美光、海力士、英特尔囊括全球96.8%市占率,台湾厂商在这一块缺席,原本在NAND Flash技术上相对薄弱的尔必达,在买下飞索(Spansion)NAND技术资产后,规划在明年投入NAND Flash量产。
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