三星开始量产30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片
来源：慧聪电子网 作者：—— 时间：2010-07-22 09:36
今年早些时候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片的开发工作，而最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz，适用于台式机，笔记本，服务器，上网本，移动设备的各种应用。
三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品，预计这款产品今年才会投入使用。
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