三巨头竞争NAND接口规格

　　在NAND闪存（以下，NAND）市场份额中占到近40％、排名首位的韩国三星电子与排名第二、份额超过30％的东芝联手合作。两公司开发完成了 NAND用高速接口规格“Toggle DDR 2.0”，并已向JEDEC固态技术协会（JEDEC）提交了标准化方案。该规格可用于SSD的控制器LSI及NAND的接口。除了SSD外，还设想用于内存卡中的NAND等更广泛的用途。

　　三星和东芝力争使JEDEC批准NAND用接口技术“Toggle DDR 2. 0”成为标准。与其竞争的是由英特尔等主导的“ONFI”。

　　“Toggle DDR 2.0”的特点是速度高达400Mbit/秒。这相当于现有主流产品的10倍左右。只所以要提高速度，是因为NAND的容量越来越大，同时要求提高速度的呼声也越来越高。

　　此次，两公司决定向JEDEC提出方案，目的是牵制竞争规格“ONFI（Open NAND Flash Interface）”的态势。ONFI工作组目前已有80多家公司加入，由韩国海力士半导体、美国英特尔及美国美光科技等NAND厂商主导。这3家公司的NAND市场份额分别均在东芝的一半以下，不过3家公司合计接近25％。ONFI在规格的制订中与JEDEC保持着合作关系，如果任其这样下去的话，ONFI很可能会被JEDEC批准为标准。

　　面对这一态势，三星和东芝展开了阻击。如果两公司利用Toggle DDR 2.0，估计该规格也会成为NAND接口的事实标准。不过，如果ONFI被JEDEC批准为标准的话，就会出现两种标准同时共存的局面。

　　据称，NAND的需求将在今后四年内快速扩大至目前的10倍。对于想在这一高增长市场长进一步扩大份额的三星和东芝而言，当然希望消除很可能形成威胁的因素。

　　如果两公司采用ONFI，标准规格便会统一，但“采用ONFI，则无法有效利用当前的设计资源，并且赶不上NAND的更新换代速度”（东芝）。因此，两公司采用ONFI的可能性很小。

　　能够成为标准规格的是Toggle DDR，还是ONFI？其结果有望在两公司预定的标准化时间--2011年初见分晓。