LED产业链现状分析
据LED 的生产流程，可以把行业分成上游外延片生长、中游芯片制造和下游芯片封装三个产业链。
上游外延片生长为LED 的关键技术，附加值也最大。单晶片是衬底，目前使用较多的是蓝宝石。利用不同材料可以在衬底基板上成长不同材料层的外延晶片，现有的规格大小是2 寸及3 寸的外延晶片，厚度很薄就像平面金属一般，之后供中游使用。
中游厂商根据LED 元件 结构的需要，先进行金属蒸镀，然后在外延晶片上光罩蚀刻及热处理而制作LED 两端的金属电极，接着将衬底磨薄、抛光后切割为细小的LED 芯片。由于衬底较脆且机械加工性差，芯片切割过程的成品率为中游制作阶段的重点。中游的最后一步是测试 分选。
下游把从中游来的芯片粘贴并焊接导线架，经由测试、封胶，然后封装成各种不同的产品。原则上芯片越小、封装的技术难度越高。但相对于上游而言，技术含量仍然比较低。所以制作重点除了封装能力的多样化外，还有在于如何增加封装难度高的大功率LED 产品以提升利润与竞争力。
由于中游芯片制作质量的好坏主要由上游的外延片决定，两者相关性非常密切。一般而言，上游厂商同时会进行芯片制作流程，中游厂商为了控制质量，也会向上游延伸。所以往往上游外延片生长和中游芯片制造是一体的，两者合计占整个LED 产业产值的70%以上。
除这三者外，更加宽泛的LED 产业链还包括衬底(基板)的制造和芯片封装后LED 应用的开发，前者也可归于材料行业，后者可以归入各个应用领域。
LED 的外延片生长主要有LPE(液相外延)、VPE(气相外延)和MOCVD (有机金属气相外延)技术，前两者主要用来生产传统LED，后者用于生产高亮度LED 。随着高亮度LED 越来越成为LED 的主流，目前新购置的外延片生长设备均是MOCVD。
LED主要外延片生长技术
不同的基板材料，和不同的发光层材料，对应不同的波长，也对应不同的颜色。由于蓝绿光和白光是未来的发展方向，也是现在的主流产品，蓝宝石作为基板目前使用最多。
LED外延片 材料分类
LED 产品封装结构通常分为点光源、面光源和发光显示 器三类，单个管芯一般构成点光源，多个管芯组装一般可构成面光源和线光源，作信息、状态指示及显示 用，发光显示器也是用多个管芯串联和并联组合而成的。
LED主要封装技术
目前全球LED 主要厂商为日亚 化学、丰田合成 、CREE 、GELCORE、LUMILEDS 和OSRAM 等，这些国际大公司主要分布在欧美日，拥有LED 技术的主要专利，也是LED 前沿技术的主要开发力量。
日亚化学(Nic hia)
自制MOCVD 设备近 200 台，主要是单片型。所用衬底主要是蓝宝石。生产蓝、绿、紫、紫外、白光小功率 (<20mW) 、中功率(20-50mW) 、以及大功率 (>50mW) 的 LED产品。只出售LED以及后续产品，不出售管芯和外延片。荧光粉技术非常成熟。
产品应用广泛，几乎所有与GaN-LED 相关的领域都有其产品。特别是户外全彩色大屏幕方面，几乎被日亚公司垄断。
占有全球市场份额约20 ～ 30 ％。
丰田合成(Toyota Gosei)
自制MOCVD 设备，产量比日亚公司大，产品质量比日亚公司的产品略差些。蓝宝石衬底。只出售LED以及后续产品，不出售管芯和外延片。生产蓝、绿、紫、紫外、白光小功率(<20mW) 、中功率(20-50mW) 、以及大功率(>50mW) 的LED 产品。
产品应用广泛，几乎所有与GaN-LED 相关的领域都有其产品。但在户外全彩色大屏幕无法与日亚公司相比。
占有全球市场份额约20 ％。
CREE
既有市场上购买的MOCVD 设备，也有自己研制和改进的MOCVD 设备。主要是多片型MOCVD 设备生产GaN-LED。所用衬底是SiC，有非常成熟的SiC 单晶生产技术，容易获得SiC 衬底材料。只出售LED 外延片及管芯。可以生产蓝、绿、紫、紫外光小功率、中功率、以及大功率的LED 外延片。
产品应用广泛，几乎所有与 GaN-LED 相关的领域都有其产品。
占有全球市场份额约10 ％。
GELCORE
主要用 EMC OR 公司MOCVD 设备生产GaN-LED 外延片。所用衬底主要是蓝宝石。GelCore 公司可以生产蓝、绿、紫、紫外、白光小功率、中功率、以及大功率的LED 产品，但大功率产品目前还相对不成熟。关注白光LED 。灯具设计方面有较强优势。
产品应用广泛，几乎所有与 GaN-LED 相关的领域都有其产品。特别是高档的照明市场(如建筑
廓装饰照明)。
LUMILEDS
主要是蓝宝石，也用GaN 衬底。只出售 LED 以及后续产品，不出售管芯和外延片。生产蓝、绿、紫、紫外、白光小功率、中功率、以及大功率的 LED 产品。特别是它能生产功率达到 5W的大功率 LED 产品。关注大功率白光照明。
目前LUMILEDS 公司的产品产量不是很大，但其大功率产。