三星2011年持续投资92亿美元发展半导体事业

据外媒消息，三星连续2年在半导体投资额排名居世界之冠。三星电子（SamsungElectronics）继2010年对半导体进行达96亿美元的大规模资本额投资后，2011年也将持续投资92亿美元发展半导体事业。

　　三星2011年将优先对华城厂16产线进行投资建设，此外为量产30奈米制程DRAM、20奈米制程快闪存储器（NANDFlash）等，也将积极投资微细制程化作业。同时三星也将在美国德州奥斯汀设立系统半导体生产线，进行资本额投资。

　　据市调机构Gartner统计，三星2010年对半导体设备投入96亿美元资金，2011年也将大笔投入92亿美元，投资规模居世界第1.排名第2位的英特尔（Intel）2011年将投资50亿美元，较2010年减少2亿美元，而排名第3的台积电2011年将投资49亿美元，较2010年减少10亿美元。

　　而2010年投资18.15亿美元的东芝（Tosshiba），估计2011年将投资36.3亿美元，在半导体资本额投资方面2010年排名第7,2011年将可望攀升至第4名。

　　海力士（Hynix）2010年投资25亿美元，排名第5,2011年约投资27.5亿美元，排名将滑落至第6,并由GlobalFoundries以投资32亿美元接下第5名位置。除此之外，华亚、美光（Micron）、联电、尔必达（Elpida）等投资排名2011年也将提升至7~10名。

　　Gatner世界半导体产业2011年总投资金额较2010年的507亿美元增加10.1%,达558亿美元规模。