中芯加大投资 5年超国际技术

江上舟出席第3届浦江创新论坛时指出，中芯正在进行45奈米制程项目，需要投资逾40亿美元，32奈米制程项目则需要6亿美元。他表示，过去中芯发展太散，许多项目都是地方政府承诺投资，公司就过去办厂，当资金跟不上的时候，项目就陷入困境。

大陆晶圆代工厂中芯国际连2季业绩获利，日前亦正式入主武汉新芯，并且定调公司未来发展将专注于主流市场，董事长江上舟指出，在新产品技术研发方面，未来每年将投入至少20亿美元，期许在5年内追上世界水平。

江上舟指出，目前中芯60%多的股东及许多员工都是外籍的，国际化道路让其在3年前就彻底打破国外技术禁运限制，可获得国外先进技术。因此，未来在新产品研发方面，每年将投入至少20亿美元，期许在5年内追上世界水平。

    目前中芯65奈米制程已进入量产，预计2011年下半45奈米将可贡献营收，不过，相较于台积电28奈米将进入量产，仍有相当大的差距。针对大陆半导体业发展，江上舟认为，中芯知道怎么避免失败、怎么走向成功，可以结束大陆缺芯局面。所谓缺芯，亦即缺少核心，可说是大陆科技业界多年来相当受关注议题。

    江上舟表示，目前技术上没能赶上先?i国家，缺乏有国际竞争力的企业，大部分企业都没有赚到钱，缺芯问题已经影响到大陆产业安全和升级。中芯在十二五的基础上，争取用5年时间解决大陆缺芯问题。

    中芯于2009年作出重大人事调整，由江上舟接替退休的王阳元院士，担任中芯董事长，同时公司创始人、董事会执行董事、集团总裁兼CEO张汝京辞任，由王宁国接任。

    此外，台积电日前甫宣布2011年资本支出将高于2010年59亿美元，其中，研发费用将提高至11亿美元。2010年台积电研发资本支出约4亿美元，2011年将提高至7亿美元，主要投入28、20、14、10及7奈米制程研发，以及特殊制程技术研发等。