高通明年推28纳米3G/4G融合双核芯片

高通明年推28纳米3G/4G融合双核芯片

在2010高通中国合作伙伴大会上，高通CDMA技术集团产品发展高级副总裁克里斯蒂安诺·阿蒙介绍称，高通将在明年推下一代基于28纳米规格的Snapdragon芯片系列产品，在芯片图形处理能力方面将是目前Snapdragon芯片的4倍。

据阿蒙介绍，在明年推出的Snapdragon芯片中将出现全球首款多模3G/4G集成式芯片，在CPU方面采用新型微架构，将性能提升5倍以上。对于无线芯片而言性能只是芯片指标之一，然而功耗则是另一个重要指标，“明天推出的28纳米的下一代Snapdragon芯片在功耗性能方面降低75%左右。”

阿蒙表示，Snapdragon在CPU和图形处理方面均有很大提升，同时在功耗方面进行有效控制，在无线芯片两大要素方面均有大幅度提升。

目前，高通的Snapdragon芯片品牌已经成为了行业的标杆，同时也开创了无线芯片超于GHz主频的门槛，有数据显示，目前高通的合作伙伴已推出了55款基于Snapdragon芯片的终端，而在2010财年，高通公司MSM芯片总出货量达到3.99亿片，同比增长26%。