DRAM价格下滑 厂商依旧加大明年供货

DIGITIMES Research分析师柴焕欣说明，2006年以来，包括台、美、日等 DRAM 厂即因产品价格持续下跌而处于长期亏损窘境；在金融海啸期间，更因不耐景气严寒，除削减资本支出、停止原先扩厂计划外，亦先后采取减产、裁员、关厂等策略因应，为的就是保有手中现金。

至2009年第四季前， DRAM 厂商对景气展望仍相当保守，加上缺乏足够现金部位提供购料投片，即使面对来自PC市场需求逐季升温，DRAM供给增加亦相对有限，这也是DRAM价格自2009年第二季至2010年第二季之间，得以维持将近5季荣景的重要原因。

然而，2010年第二季以来，先有三星电子(Samsung Electronics)宣布26兆韩元的投资计划，率先将30纳米制程导入量产，并大幅扩充内存产能；加上欧债风暴影响，来自PC市场对DRAM的需求顿时减弱，两大因素亦使得DRAM价格加速下滑，1Gb DDR3现货价从2010年第二季的3.08美元，跌至2010年第四季1.16美元，跌幅达62%，且至12月都尚未见到止跌回稳的迹象。

柴焕欣分析，事实上，除三星以外的主要DRAM厂，在产能扩充的脚步都显得相当保守，但随先进制程占产出比重提高，产能依然出现明显成长，以65纳米制程升级至50纳米制程，产能即可增加50%，从50纳米制程转换至40纳米制程，产能将更进一步成长45%。

依据各 DRAM 厂所开出产能分析，柴焕欣预估， 2010年全球 DRAM 位供给量将达20.4亿Gb，较2009年的13.6亿Gb成长49.4%。 2011年全球DRAM位供给量将达32.3亿Gb，较 2010年的20.4亿Gb更进一步成长58.8%， 2011年DRAM位供给量大幅成长的原因则来自于先进制程的升级，其次才是来自于产能扩增。

包括美光、南科、华亚科、瑞晶、尔必达等DRAM大厂，45/40纳米制程产能将于2011年大量开出，且先进制程占营收比重将会逐季提高，柴焕欣认为，这意味着2008年下半以来DRAM控制产能扩张的时期将告一段落，转而进入通过制程升级来扩张产能的新时期，这也将会是影响2011年全球DRAM市场景气荣枯的最关键因素。