中芯国际年底加入40纳米战局

中芯先进制程技术布局积极，2011年预计将再投入10亿美元资本支出建置先进制程产能。执行长王宁国表示，近期65/55纳米技术将会继续放量，且2011年底前45/40纳米技术将会量产。

中芯首席财务官曾宗琳表示，因为中芯寻求加强其资产结构，该公司将寻求替代资金。不过曾宗琳也强调，中芯2010年的资本支出超过了7亿美元，即便不获得额外的资金，中芯在2011年仍然能够完成10亿美元的资本支出。

中芯积极建构40纳米生产平台，透过与供应链伙伴进一步拓展合作协议，另一方面也积极开发客户，并协助既有客户转换至40纳米平台，以期能加速40纳米在2011年下半顺利量产，进一步缩短与台积电、联电的竞争差距。

中芯2010年由亏转盈，过去代管的武汉新芯晶圆厂，也顺利在武汉市政府注资下正式入主，未来将主要生产65、40纳米制程，在合资后的3年内，达成月产能4.5万片的目标，提升整体产能。

此外，中芯也宣布投资IC设计服务厂灿芯半导体，目前中芯与灿芯也已着手为客户进行40纳米芯片的设计。

待中芯纳米级制程更加成熟，除大陆本土IC设计客户外，IDM厂也恐扩大投片中芯，对台积电与联电在大陆的布局造成威胁。

不过，台系晶圆代工厂亦积极提升先进制程能力，为扩充40纳米与28纳米产能，联电2011年资本支出将达约18亿美元，与2010年相当，联电预估，2011年12寸产能将增加25%，65纳米制程全年营收比重将提升至40%左右，40纳米制程下半年将提升到10%，显现联电在先进制程进展快速。

至于在台积电方面，台积电2010年第4季65纳米以下先进制程技术比重达52%；其中，65纳米制程比重为31%，40纳米制程比重约21%，合计65纳米以下制程比重已超过一半。