我国首款自主知识产权相变存储器研制成功
来源：华强电子网 作者：—— 时间：2011-04-19 09:09
我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。
据专家介绍，此款PCRAM芯片将可取代传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。
我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。
相关文章
- •突发！三星9万人准备罢工：全球芯片要变天了？2026-03-18
- •芯片价格全面失控：最高暴涨70%，这一轮半导体周期不一样了2026-03-18
- •2026最硬科技！原子级3D成像揭示芯片内部“鼠咬”缺陷，芯片研发从此不同2026-03-06
- •芯片战再升级！美政府采购禁令来袭，SIA强烈发声反对2026-03-05
- •阿里“造芯”走到关键一步？平头哥或冲击IPO2026-01-26
- •重磅消息！中国对日本进口芯片发起反倾销调查！2026-01-08
- •免费直播预告 | 从理论到实操，全面解析ADC/DAC芯片测试前沿方案！2025-06-17
- •摩尔斯微电子携手Gateworks，利用Wi-Fi HaLow革新工业连接2025-06-04
- •从富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求2024-11-04
- •重磅！中国或禁止政府采购这类芯片和品牌2024-03-25
