我国首款自主知识产权相变存储器研制成功
来源：华强电子网 作者：—— 时间：2011-04-19 09:09
我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。
据专家介绍，此款PCRAM芯片将可取代传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。
我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。
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