尔必达新一代30纳米产品5月量产
日本存储器大厂尔必达(Elpida)宣布预计在2011年5月量产最先进的30纳米制程DRAM，而此款30纳米制程讲求低耗电，适合用于智能型手机、平板计算机等行动装置，以及目前最热门的云端运算市场。
尔必达在2010年9月完成30纳米DRAM制程的开发，在当年12月开始将2Gb芯片产品送样给客户，由于客户反应相当良好，在2011年1月即开始步入量产，且30纳米制程量产的比重逐月增加。
尔必达指出，30纳米制程的DRAM芯片会同步在日本广岛厂生产，以及台湾转投资的瑞晶。瑞晶在台中有一座月产能超过8万片的12寸晶圆厂，在力晶正式与尔必达签约宣布放弃标准型DRAM自有品牌和销售权后，原本瑞晶30%的月产能归属力晶，未来也将回销给尔必达，亦即未来尔必达拥有瑞晶100%的12寸晶圆厂产能。
尔必达进一步表示，采用30纳米制程生产的2Gb容量个人计算机(PC)相关的DDR3芯片，预计在2011年5月生产，日本广岛厂在尔必达会计年度的第2季中，预计会有20%产能将用来生产新一代的DDR3产品，而第3季会提升至30%。
再者，瑞晶也会在日本会计年度第3季中，开始大量30纳米制程产品，预计将季度将达20%产能，年底会达旗下12寸晶圆厂的10%产能。
尔必达的30纳米制程世代比40纳米制程多出45%的晶圆数量，尤其在耗电量的问题上，30纳米制程又比40纳米减少20％耗电，非常适合用在对省电要求严苛的行动装置产品，象是智能型手机、平板计算机、服务器等应用。