瑞丰光电研发中心发布Chip LED衰减改善成果

瑞丰光电研发中心发布Chip LED衰减改善成果

瑞丰光电研发中心今日发布了针对Chip LED的衰减成果。通过对关键材料的改进和线路的重新设计，新一代的Chip LED的衰减只有之前版本的31%。由于抗衰减能力的大幅度提升，Chip LED将能在指示、背光灯领域的应用将有全新的发展。

Chip LED项目负责人朱经理介绍，Chip LED的抗衰减性能的改善主要基于两个原因：通过PCB线路的重新设计降低产品的热阻；另一方面包含到固晶胶材和封装胶材的改进，除了降低产品的热阻之外，也大幅度的改善了材料的光老化特性。据最新的老化数据显示，新一代的产品衰减只有原来的31%，抗衰减性能大幅提升。

目前采用新材料和制程的Chip LED已经正式导入量产。