三星70亿美元闪存项目预计明年末启动

三星70亿美元闪存项目预计明年末启动

       上周本站报道，三星电子称已就新一代闪存芯片生产与西安签署谅解备忘录，一期投资多达70亿美元，预计生产线将在明年年末正式启动，预计每月芯片产能将达到10万片。

       这一新工厂将使用10纳米级别的工艺。10纳米级技术是三星计划在今年投入使用的最新技术，业界人士称，如采用10纳米级制造工艺，使用同等材料生产闪存芯片，产量比起20纳米级技术增加约一倍以上。

       对于三星来说，来华投资建厂是一次风险不小的尝试。三星曾十分担心在海外建设高科技生产线存在技术外泄的风险，过去一直没有在韩国和美国以外地区建立高科技生产厂。在此之前，三星仅在美国得克萨斯州奥斯丁市设立过一家芯片生产厂。

       根据市研机构Gartner的数据，中国市场去年所消费的NAND内存芯片，占全球市场一半，规模达290亿美元，是全球最大的芯片消费国。到2015年，中国市场份额将升至55%。

       相比之下，三星的竞争对手海力士早在2004年就投资20亿美元落户无锡，该厂12英寸芯片产能已从初期月产1.8万片提高到18万片。

       iSuppli半导体首席分析师顾文军认为，在这个“快鱼吃慢鱼”的“比快”竞争时代，在中国建厂成了贴近市场、快速反应，充分利用中国资源和市场的重要方式。（责编：龚飘梅）