三星70亿美元闪存项目预计明年末启动
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-03-26 10:23
上周本站报道,三星电子称已就新一代闪存芯片生产与西安签署谅解备忘录,一期投资多达70亿美元,预计生产线将在明年年末正式启动,预计每月芯片产能将达到10万片。
这一新工厂将使用10纳米级别的工艺。10纳米级技术是三星计划在今年投入使用的最新技术,业界人士称,如采用10纳米级制造工艺,使用同等材料生产闪存芯片,产量比起20纳米级技术增加约一倍以上。 对于三星来说,来华投资建厂是一次风险不小的尝试。三星曾十分担心在海外建设高科技生产线存在技术外泄的风险,过去一直没有在韩国和美国以外地区建立高科技生产厂。在此之前,三星仅在美国得克萨斯州奥斯丁市设立过一家芯片生产厂。 根据市研机构Gartner的数据,中国市场去年所消费的NAND内存芯片,占全球市场一半,规模达290亿美元,是全球最大的芯片消费国。到2015年,中国市场份额将升至55%。 相比之下,三星的竞争对手海力士早在2004年就投资20亿美元落户无锡,该厂12英寸芯片产能已从初期月产1.8万片提高到18万片。 iSuppli半导体首席分析师顾文军认为,在这个“快鱼吃慢鱼”的“比快”竞争时代,在中国建厂成了贴近市场、快速反应,充分利用中国资源和市场的重要方式。(责编:龚飘梅)
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