安森美半导体推出高性能场截止型IGBT用于高能效电源转换

5月9日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的场截止型(Field Stop) 绝缘门双极结晶体管(IGBT)，目标应用为工业电机控制及消费类产品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120应用于高性能电源转换方案，适合多种要求严格的应用，包括电磁炉、电饭煲及其它厨房小家电应用。  
        能源价格不断上升及围绕碳排放的环保因素，持续带动更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率电磁感应及变频器的应用。这些新的额定电压1,200伏(V)的IGBT采用深沟槽技术及先进的晶圆薄化及加工处理技术，提供极低的关闭损耗，同时在导通期间维持低通态电压，因而提供更低的开关损耗及导电损耗。这些器件提供15安培(A)、20 A及25 A额定电流等不同选择，且与极低正向压降及软恢复快速整流器组合封装，符合客户对高能效的严格要求，同时为他们提供高空间利用率的完整方案。  
       安森美半导体功率分立产品分部高级总监兼总经理John Trice说：“安森美半导体为汽车应用提供高性能及可靠的IGBT已超过十年，一直是市场上领先的供应商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我们在高压沟槽型技术及晶圆工艺技术的知识产权及能力，同时为多种终端市场的客户提供高质量及强固的方案，用于他们讲究高能效的电源应用。” （责编：Lecea)