Microsemi发布新一代超高效非穿通型IGBT
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-05-17 10:32
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8?技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。
美高森美新的分立元件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些器件可以单独提供,或者与任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二极管组合封装提供,以便简化产品开发和制造。
APT40GR120B晶体管采用TO-247封装,APT40GR120S采用表面安装D3 PAK封装,APT40GR120B2D30则是T-MAX? 封装器件,包含了一个30A反并联超快恢复二极管,采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。
其它特性包括:
· 相比竞争产品,栅极电荷(Qg)显著减少,具有更快的开关性能;
· 硬开关运行频率大于80 KHz,实现更高效的功率转换;
· 易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性;
· 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作
- •IGBT 模块在颇具挑战性的逆变器应用中提供更高能效2025-01-08
- •安森美荣获2024年亚洲金选车用电子解决方案供应商奖及年度最佳功率半导体奖2024-12-06
- •Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压2024-10-24
- •安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块, 助力可再生能源应用简化设计并降低成本2024-06-12
- •每套最高卖100万元!火爆的IGBT充电集2023-08-11
- •IGBT爆卖10KK!看这家国产功率器件厂商怎么做到的2023-07-19
- •这个问题短期无解!最新IGBT现货行情分析及预判2023-07-12
- •IDC 谏早电子开发的IGBT驱动 GAU220P-15402 可使用2並列驱动1700V/1200A级IGBT模组2023-07-04
- •IGBT爆卖10KK!看这家国产功率器件厂商怎么做到的2023-07-03
- •IGBT爆卖10KK!看这家国产功率器件厂商怎么做到的2023-06-30