科锐商用无线射频(RF )功率晶体管和大功率单片式微波集成电路（MMIC ）放大器的发货量已突破 10 兆瓦
科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的无线射频（RF）业务部门已出货的商用碳化硅衬底氮化镓 (GaN-on-SiC) RF 功率晶体管和 MMIC 产品的合计 RF 输出功率已突破 10 兆瓦。这一里程碑式成果充分说明了科锐的氮化镓HEMT 和氮化镓 MMIC 技术拥有高兼容性、可靠性和业经证明的优异性能。这 10 兆瓦中只包括商用 RF 产品，不包含氮化镓 MMIC 晶圆代工业务的 1.5 兆瓦出货量。
在实现里程碑式出货量的同时，科锐还保持着每10亿器件小时内低于10次的超低计次失效率 (FIT率)，这比其它 RF 功率晶体管技术的标准计次失效率（ FIT 率）低 80%。
科锐公司 无线射频（RF）总监 Jim Milligan 表示：“我们的碳化硅衬底氮化镓器件累计实地工作时间已经超过 14 亿小时，其可靠性超过其它高压硅技术或者砷化镓技术，是目前为止国内氮化镓器件供应商已知的累计现场数据中的最大值，其中不仅包含分立晶体管，还包含复杂的多级氮化镓 MMIC。这10兆瓦里程碑式的出货量充分证明了科锐的氮化镓技术已被迅速广泛采用，涉及领域不仅包括军事应用，还包括电信基站、宽带测试设备、民用雷达和医疗应用等。如果我们以现在的速度继续向这些新的细分市场扩张， 2011年底我们的出货量有望在 10 兆瓦的基础上再翻一番。”
作为美国最大的碳化硅衬底氮化镓 RF 晶圆处理技术的生产商，科锐已经开发出品类丰富全面的氮化镓 HEMT 和氮化镓 MMIC 产品，旨在满足数量不断增加的 RF 阵列和微波应用对宽波段、高效率和高可靠性的要求。
25 年来，科锐不断将创造性、突破性的创新成果带到半导体行业，从最早的蓝光 led，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到业界第一个碳化硅衬底氮化镓 MMIC 的问世，科锐一直奋战于技术的最前沿。
关于科锐（CREE）
科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为世界化合物半导体材料、外延、芯片、封装与LED照明解决方案为一体的著名制造商和行业领先者。科锐 LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1, 100多项美国专利和2, 800多项国际专利，使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。
在实现里程碑式出货量的同时，科锐还保持着每10亿器件小时内低于10次的超低计次失效率 (FIT率)，这比其它 RF 功率晶体管技术的标准计次失效率（ FIT 率）低 80%。
科锐公司 无线射频（RF）总监 Jim Milligan 表示：“我们的碳化硅衬底氮化镓器件累计实地工作时间已经超过 14 亿小时，其可靠性超过其它高压硅技术或者砷化镓技术，是目前为止国内氮化镓器件供应商已知的累计现场数据中的最大值，其中不仅包含分立晶体管，还包含复杂的多级氮化镓 MMIC。这10兆瓦里程碑式的出货量充分证明了科锐的氮化镓技术已被迅速广泛采用，涉及领域不仅包括军事应用，还包括电信基站、宽带测试设备、民用雷达和医疗应用等。如果我们以现在的速度继续向这些新的细分市场扩张， 2011年底我们的出货量有望在 10 兆瓦的基础上再翻一番。”
作为美国最大的碳化硅衬底氮化镓 RF 晶圆处理技术的生产商，科锐已经开发出品类丰富全面的氮化镓 HEMT 和氮化镓 MMIC 产品，旨在满足数量不断增加的 RF 阵列和微波应用对宽波段、高效率和高可靠性的要求。
25 年来，科锐不断将创造性、突破性的创新成果带到半导体行业，从最早的蓝光 led，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到业界第一个碳化硅衬底氮化镓 MMIC 的问世，科锐一直奋战于技术的最前沿。
关于科锐（CREE）
科锐成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为世界化合物半导体材料、外延、芯片、封装与LED照明解决方案为一体的著名制造商和行业领先者。科锐 LED 照明产品的优势体现在氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等方面独一无二的材料技术与先进的白光技术，拥有1, 100多项美国专利和2, 800多项国际专利，使得科锐LED产品始终处于世界领先水平。科锐照明级大功率LED，具有光效高、色点稳、寿命长等优点。科锐在向客户提供高质量、高可靠发光器件产品的同时也向客户提供成套的LED照明解决方案。