美国Kyma公司推出n+型氮化镓体单晶衬底及晶片

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，美国氮化镓和氮化铝晶体材料公司Kyma新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底，尺寸为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,电阻率小于0.02欧姆厘米，比之前的n型氮化镓衬底低两个数量级。导电能力得到极大提高，同时Kyma正在研发直径2英寸的氮化镓衬底，下一步是进入量产阶段。
 
此外，Kyma还成功开发了高掺杂n+型氮化镓衬底晶片，n型载流子浓度达到了6´1018 cm-3，对应电阻率仅为0.005欧姆厘米。此前仍在出售的n型氮化镓产品以后将被标记为n-型号。
 
对于很多半导体材料和器件研究而言，作为一种较好的初始生长材料，n+型氮化镓比n-型氮化镓更具优势，其通过具有高电子浓度导电衬底的使用，将会使功率电子器件和光电子器件的性能和使用寿命得到大幅度提高，在垂直功率电子器件方面，n+型氮化镓可获得超低的电阻，同时也降低了寄生电阻；而在LED等光电子器件方面，n+型氮化镓可获得低的垂直电阻，有效降低电流拥挤效应的发生。
 
据了解，氮化物半导体器件市场预计超过900亿美元，其中在可见光领域的市场应用超过600亿美元，在功率微电子器件方面的应用超过300亿美元，市场前景广阔。