高工LED《技术与应用》杂志 搭建技术与设计的桥梁
来源:高工LED 作者:--- 时间:2011-08-16 00:00
【高工LED专稿】 经过了2010年国内LED产业上游的“狂投滥炸”,在接下来几年的芯片产能释放期,下游照明应用市场必定“四面开花”。与此同时,一些个性的、创新性的理念都已经开始陆续融合到了LED照明产品的设计当中。前几年,大家看到的就是将传统的灯具进行简单地组装、改造成LED灯具。今年来看,改造版的LED灯具几乎看不到了,都是一些新兴的、创新的LED灯具。
《高工LED》杂志自创刊以来,在国内外LED产业界朋友的殷勤关爱下茁壮成长。在当下LED照明市场即将爆发的拐点,我们有这个责任和义务为产业界的技术工程师,设计工程师创办一本全新的技术与设计类杂志,这对我们而言更是一次全新的尝试。
征稿范围
技术类:
1、对LED细分领域技术研发现状及趋势分析;
2、LED前沿创新型技术及应用分析;
3、技术分析方向有:外延、制程工艺、材料、芯片、封装、光学、驱动、电源、智能控制、散热、可靠性、寿命、测试测量、检测等。
设计及应用类:
1、LED应用工程整体设计方案分析及效果评估;
2、应用评估领域有:LED在道路、隧道、路桥、城市景观亮化、场馆、酒店、地铁等照明应用领域。
文章格式要求:
• 技术分析性文章字数建议在1500-4500/每篇,如有图表说明,图表分辨率不低于300dpi;
• 技术分析性文章应有摘要、参考文献;
• 应征稿件论点必须明确、论述充分、语言通顺、文字简练;
• 提供作者简介,包括:姓名、职务或职称、联系信息;
• 稿件以word文档书写成电子版以电子邮件方式投稿;
投稿说明:
1、本刊原则上只收原创性稿件,已在国内外刊物上发表或准备发表的文章须如实相告,本刊将酌情刊登。
2、作者须对稿件内容的真实性及思想观点负责。
3、来稿请勿一稿多投。编辑部有权对采用的稿件进行必要的修改或删减。
4、编辑部收稿后对稿件进行审核,一个星期内对符合要求的稿件发送录用通知,对不符合要求的稿件提出补充或修改意见;对未采用的稿件本编辑部恕不退还,请投稿作者自留底稿。
5、发表的文章同期将在我刊支持网站www。gg-led.com(高工LED)上刊出。
6、投稿邮箱:magazine@gg-led.com
7、本编辑部长期征稿。
联系人:《高工LED》编辑部
电 话:0755-26981898-825、826
传 真:0755-26981868
E-mail:magazine@gg-led.com
地 址:深圳市南山区蛇口沿山路5号火炬创业大厦6楼
邮 编:518067
《高工LED》杂志自创刊以来,在国内外LED产业界朋友的殷勤关爱下茁壮成长。在当下LED照明市场即将爆发的拐点,我们有这个责任和义务为产业界的技术工程师,设计工程师创办一本全新的技术与设计类杂志,这对我们而言更是一次全新的尝试。
征稿范围
技术类:
1、对LED细分领域技术研发现状及趋势分析;
2、LED前沿创新型技术及应用分析;
3、技术分析方向有:外延、制程工艺、材料、芯片、封装、光学、驱动、电源、智能控制、散热、可靠性、寿命、测试测量、检测等。
设计及应用类:
1、LED应用工程整体设计方案分析及效果评估;
2、应用评估领域有:LED在道路、隧道、路桥、城市景观亮化、场馆、酒店、地铁等照明应用领域。
文章格式要求:
• 技术分析性文章字数建议在1500-4500/每篇,如有图表说明,图表分辨率不低于300dpi;
• 技术分析性文章应有摘要、参考文献;
• 应征稿件论点必须明确、论述充分、语言通顺、文字简练;
• 提供作者简介,包括:姓名、职务或职称、联系信息;
• 稿件以word文档书写成电子版以电子邮件方式投稿;
投稿说明:
1、本刊原则上只收原创性稿件,已在国内外刊物上发表或准备发表的文章须如实相告,本刊将酌情刊登。
2、作者须对稿件内容的真实性及思想观点负责。
3、来稿请勿一稿多投。编辑部有权对采用的稿件进行必要的修改或删减。
4、编辑部收稿后对稿件进行审核,一个星期内对符合要求的稿件发送录用通知,对不符合要求的稿件提出补充或修改意见;对未采用的稿件本编辑部恕不退还,请投稿作者自留底稿。
5、发表的文章同期将在我刊支持网站www。gg-led.com(高工LED)上刊出。
6、投稿邮箱:magazine@gg-led.com
7、本编辑部长期征稿。
联系人:《高工LED》编辑部
电 话:0755-26981898-825、826
传 真:0755-26981868
E-mail:magazine@gg-led.com
地 址:深圳市南山区蛇口沿山路5号火炬创业大厦6楼
邮 编:518067
相关文章
led
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%
- 思特威亮相AutoSens USA,全场景车载视觉方案赋能智驾升级
- 安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合
- 打造智能照明创新范式,大联大世平集团携手ams OSRAM深度解析EVIYOS前沿应用方案
- 兆易创新推出全新光模块专用MCU,聚力光互联产业升级
- Wolfspeed 发布新一代技术,推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
- 碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
- 兆易创新推出全新光模块专用MCU,聚力光互联产业升级
- 安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合
- Wolfspeed 发布新一代技术,推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
- Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%
- 安森美率先推出Elite Pairing Studio,简化电源设计
- 打造智能照明创新范式,大联大世平集团携手ams OSRAM深度解析EVIYOS前沿应用方案
- 思特威亮相AutoSens USA,全场景车载视觉方案赋能智驾升级
- 英伟达、SK海力士:共同开发下一代AI内存
- 碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- 内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"
- Melexis推出集成DC/DC转换器的LIN RGB驱动芯片,简化汽车照明设计
- 今年最大国产芯片IPO,重启!|长鑫科技
- 东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
- 思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 摩尔斯微电子发布高功率Wi-Fi HaLow模组MM8108-M20,加速远距离物联网规模化应用
- Wolfspeed 新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列,助力应对能源需求的激增






