台积电固态照明将取得Bridgelux氮化镓上硅新技术

【高工LED专稿】 【高工LED讯】日前，Bridgelux公司在美国发表氮化镓上硅(GaN-on-Si)新技术，该公司利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，且不会在室温下弯曲变形，领先同业提升硅基板氮化镓LED效能与可制造性。
 
台湾媒体近日报道称，该新技术将由台积电(2330)旗下新公司台积电固态照明公司取得。
 
据悉，台积电三年前透过旗下创投投资Bridgelux正式跨足LED产业，而目前台积电则计划在今年8月1日正式把固态照明业务切割出来设独立公司台积电固态照明公司，进一步强化LED产业布局。
 
在直径更大、成本低廉的硅晶圆上成长氮化镓，并采用与现代半导体生产线兼容的制程，其成本会比现有制程减少75％。目前包括晶电、泰谷、璨圆、隆达等都有团队在开发氮化镓上硅这项技术。
 
Bridgelux公司将透过与知名半导体制造商的合作，进一步利用旧有半导体晶圆厂，对制造成本、利润与资本报酬率造成正面影响。
 
Bridgelux指出，未来还将继续积极发展氮化镓上硅制程，驱动LED商品从蓝宝石基板转换为硅基板。该公司预计在两年内向市场推出首批商业氮化镓上硅产品。