全国LED芯片的发展势头分析
日前，广东德豪润达电气股份有限公司正式公布了一款核心参数为4545/350MA和110lm/w的高功率芯片，该芯片被视为LED的扛鼎之作，据资料显示，在同类产品中，德豪润达生产的该大功率芯片已经达到国际领先水平。该大功率led芯片的量产，填补了国内led照明级芯片的空白。
晶电红光芯片效率达到200 lm/W
EPISTAR LAB最新的实验室数据报告，小尺寸(355μm2)红光低压2V芯片在6 mA下操作，其发光波长609nm (Wd)可达成200 lm/W之高效率，在一般20mA操作电流下，效率也可达184 lm/W。
要达到如此绝佳的效率，EPISTAR LAB开发出多项技术，其中包括透明基板转换制程、减少量子井光线吸收、增加光子萃取率的细微结构与提高电流分布均匀度等。同样的技术也应用在红光高压(HV)芯片，数据报告高压(HV)芯片在6 mA下操作可达到186 lm/W，一般20mA操作电流下，则可达到174lm/W，此时电压值为18.5伏特。
产业上游LED蓝宝石的情况
4寸以上蓝宝石需求上涨 GT设备订单不断
据了解，2011年4月极特先进科技已接获贵州皓天光电科技蓝宝石长晶炉订单，金额高达2亿1,890万美元。
现在，受惠4寸以上发光二极体(LED)蓝宝石基板产能吃紧，激励可量产85公斤以上蓝宝石长晶炉需求看涨，GT Advanced Technologies蓝宝石长晶炉业绩捷报频传，目前累积的可量产85公斤与100公斤蓝宝石长晶炉ASF85和ASF100订单金额已高达9亿4,400万美元，现正陆续交货中。
晶电红光芯片效率达到200 lm/W
EPISTAR LAB最新的实验室数据报告，小尺寸(355μm2)红光低压2V芯片在6 mA下操作，其发光波长609nm (Wd)可达成200 lm/W之高效率，在一般20mA操作电流下，效率也可达184 lm/W。
要达到如此绝佳的效率，EPISTAR LAB开发出多项技术，其中包括透明基板转换制程、减少量子井光线吸收、增加光子萃取率的细微结构与提高电流分布均匀度等。同样的技术也应用在红光高压(HV)芯片，数据报告高压(HV)芯片在6 mA下操作可达到186 lm/W，一般20mA操作电流下，则可达到174lm/W，此时电压值为18.5伏特。
产业上游LED蓝宝石的情况
4寸以上蓝宝石需求上涨 GT设备订单不断
据了解，2011年4月极特先进科技已接获贵州皓天光电科技蓝宝石长晶炉订单，金额高达2亿1,890万美元。
现在，受惠4寸以上发光二极体(LED)蓝宝石基板产能吃紧，激励可量产85公斤以上蓝宝石长晶炉需求看涨，GT Advanced Technologies蓝宝石长晶炉业绩捷报频传，目前累积的可量产85公斤与100公斤蓝宝石长晶炉ASF85和ASF100订单金额已高达9亿4,400万美元，现正陆续交货中。